[發明專利]多孔氧化鈷納米線及其制備方法與應用有效
| 申請號： | 201410218728.1 | 申請日： | 2014-05-22 |
| 公開（公告）號： | CN104003454A | 公開（公告）日： | 2014-08-27 |
| 發明（設計）人： | 宋衛國;竇智峰;曹昌燕 | 申請（專利權）人： | 中國科學院化學研究所 |
| 主分類號： | C01G51/04 | 分類號： | C01G51/04;B82Y30/00;B82Y40/00;G01N33/00 |
| 代理公司： | 北京紀凱知識產權代理有限公司 11245 | 代理人： | 關暢 |
| 地址： | 100080 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 多孔 氧化鈷 納米 及其 制備 方法 應用 | ||
1.一種制備四氧化三鈷納米線的方法，包括如下步驟：
將可溶性無機鈷鹽、無機氟鹽、堿源與水混勻后進行水熱反應，反應完畢后收集絮狀沉淀干燥后煅燒，得到所述四氧化三鈷納米線。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述可溶性無機鈷鹽選自氯化鈷、硝酸鈷和硫酸鈷中的至少一種；
所述無機氟鹽為氟化鈉、氟化銨或氟化鉀；
所述堿源為尿素、碳酸鈉或碳酸氫鈉。
3.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于：所述可溶性鈷鹽、無機氟鹽、堿源的摩爾比為1：1：1，所述可溶性鈷鹽與水的摩爾比為1：3000～4000。
4.根據權利要求1-3任一所述的方法，其特征在于：所述水熱反應步驟中，溫度為120-160℃，時間為2-12小時。
5.根據權利要求1-4任一所述的方法，其特征在于：所述煅燒步驟中，溫度為300-500℃，由室溫升至煅燒所用溫度的升溫速率為1-5℃/min，具體為4℃/min，時間為1-3小時。
6.權利要求1-5任一所述方法制備得到的四氧化三鈷納米線。
7.根據權利要求6所述的納米線，其特征在于：所述納米線為一維多孔結構；
所述納米線的比表面積為60-20m2/g，具體為45m2/g；
所述納米線的直徑為50-150nm，具體為100nm；
所述納米線中孔的孔徑為2-50nm，具體為3-30nm。
8.權利要求6或7所述四氧化三鈷納米線在制備氣敏傳感器中的應用。
9.含有權利要求6或7所述四氧化三鈷納米線的氣敏傳感器。
10.根據權利要求8所述的應用或權利要求9所述的氣敏傳感器，其特征在于：所述氣敏傳感器為對一氧化碳敏感的氣敏傳感器；
所述氣敏傳感器的工作溫度不大于100℃。
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