[發(fā)明專利]一種用于雙重圖形化工藝流程的側(cè)墻形成方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410217930.2
• 申請日: 2014-05-21
• 公開（公告）號: CN104064471A
• 公開（公告）日: 2014-09-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 雷通;桑寧波
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 王宏婧

1.一種用于雙重圖形化工藝流程的側(cè)墻形成方法，其特征在于包括：

首先，利用光刻膠執(zhí)行光刻以對硬掩膜及硬掩膜上的氮化硅進行圖形化，從而形成硬掩膜和氮化硅的疊層柱體；

此后，用原子層沉積工藝在疊層柱體外部生長氮化硅層，并隨后利用原子層沉積工藝在氮化硅層外部生長將作為側(cè)墻的氧化硅層；

隨后，去除氮化硅層頂部的氧化硅層以暴露出氮化硅層，從而形成側(cè)墻；

然后，執(zhí)行氧氣等離子體處理以使得氮化硅層氧化，并且去除進氧化的氮化硅層以及硬掩膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于雙重圖形化工藝流程的側(cè)墻形成方法，其特征在于，利用原子層沉積工藝在疊層柱體外部生長氮化硅層包括：

第一步驟，用于以惰性氣體為載氣在載有晶圓的反應(yīng)腔中通入氨基硅烷；

第二步驟，利用惰性氣體對晶圓表面進行吹掃；

第三步驟，在所述反應(yīng)腔中通入氮氣和/或氨氣等離子體對晶圓表面的氨基硅烷進行氮化。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于雙重圖形化工藝流程的側(cè)墻形成方法，其特征在于，所述第一步驟、所述第二步驟和所述第三步驟被依次循環(huán)執(zhí)行多次。

4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的用于雙重圖形化工藝流程的側(cè)墻形成方法，其特征在于，第一步驟中采用的惰性氣體為Ar氣，第二步驟中采用的惰性氣體為氮氣。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的用于雙重圖形化工藝流程的側(cè)墻形成方法，其特征在于，利用原子層沉積工藝在氮化硅層外部生長將作為側(cè)墻的氧化硅層包括：

第一步，用于以惰性氣體為載氣在載有晶圓的反應(yīng)腔中通入氨基硅烷；

第二步，用于利用惰性氣體對晶圓表面進行吹掃；

第三步，用于在所述反應(yīng)腔中通入氧氣等離子體對晶圓表面的氨基硅烷進行氧化。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的用于雙重圖形化工藝流程的側(cè)墻形成方法，其特征在于，所述第一步、所述第二步和所述第三步被依次循環(huán)執(zhí)行多次。

7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的用于雙重圖形化工藝流程的側(cè)墻形成方法，其特征在于，第一步中采用的惰性氣體為Ar氣，第二步中采用的惰性氣體為氮氣。

8.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的用于雙重圖形化工藝流程的側(cè)墻形成方法，其特征在于，所述氨基硅烷是氣態(tài)2Nte。