[發明專利]離體快繁中華蓑蘚配子體的方法無效
| 申請號： | 201410217784.3 | 申請日： | 2014-05-20 |
| 公開（公告）號： | CN103999772A | 公開（公告）日： | 2014-08-27 |
| 發明（設計）人： | 婁玉霞;丁雪;郭水良 | 申請（專利權）人： | 上海師范大學 |
| 主分類號： | A01H4/00 | 分類號： | A01H4/00 |
| 代理公司： | 上海申新律師事務所 31272 | 代理人： | 劉懿 |
| 地址： | 200234 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 離體快繁 中華 配子體 方法 | ||
1.一種離體快繁中華蓑蘚配子體的方法，其特征在于，所述方法包括以下順序步驟：
1)將中華蓑蘚孢蒴表面滅菌后，接種到無任何激素的改良Knop′s培養基上，用無菌器械破碎孢蒴使孢子釋放，培養10天后，孢子萌發產生原絲體，再培養30天后，經原絲體分化獲得配子體，培養條件為：溫度23±2℃，光照強度2000±250lx，光照時間14小時/天；所述無任何激素的改良Knop′s培養基配方為：改良Knop′s基本培養基+10g/L蔗糖+6g/L瓊脂粉，其中改良Knop′s基本培養基配方為：KNO3250mg/L、MgSO4·7H2O250mg/L、KH2PO4250mg/L、Ca(NO3)2·4H2O1000mg/L、酒石酸氨0.115mg/L、NaFe-EDTA36.7mg/L、MnSO4·4H2O11.15mg/L、H3BO33.1mg/L、KI0.415mg/L、ZnSO4·7H2O4.3mg/L、CuSO4·5H2O0.0125mg/L、NaMoO4·2H2O0.125mg/L、CoCl2·6H2O0.0125mg/L；
2)將步驟1)培養得到的配子體單株接種到配子體增殖擴繁的培養基上，進行培養30天，培養條件為：溫度23±2℃，光照強度2000±250lx，光照時間14小時/天；所述配子體增殖擴繁的培養基配方為：1/3MS基本培養基+10g/L蔗糖+6g/L瓊脂粉，其中MS基本培養基配方為：KNO31900mg/L、NH4NO31650mg/L、MgSO4·7H2O370mg/L、KH2PO4170mg/L、CaCl2·2H2O440mg/L、MnSO4·4H2O22.3mg/L、ZnSO4·7H2O8.6mg/L、H3BO36.2mg/L、KI0.83mg/L、NaMoO4·2H2O0.25mg/L、CuSO4·5H2O0.025mg/L、CoCl2·6H2O0.025mg/L、Na2-EDTA37.3mg/L、FeSO4·7H2O27.8mg/L、NaFe-EDTA36.7mg/L、肌醇100mg/L、甘氨酸2.0mg/L、鹽酸硫胺素0.5mg/L、鹽酸吡哆鋅0.5mg/L、煙酸0.5mg/L；1/3MS基本培養基是指大量元素化合物的用量為配方規定用量的1/3，其中大量元素化合物為：KNO3、NH4NO3、MgSO4·7H2O、KH2PO4、CaCl2·2H2O。
2.根據權利要求1所述的離體快繁中華蓑蘚配子體的方法，其特征在于，步驟(1)中對孢蒴進行表面滅菌的優選滅菌劑組合和滅菌時間為75％體積分數的酒精溶液30秒鐘和0.1％質量體積分數的升汞溶液5分鐘。
3.根據權利要求1所述的離體快繁中華蓑蘚配子體的方法，其特征在于，步驟(1)中切取的孢蒴來源于野外生長的中華蓑蘚配子體上生長的孢蒴。
4.根據權利要求1所述的離體快繁中華蓑蘚配子體的方法，其特征在于，所述方法中所有步驟中的培養條件均優選：溫度23℃，光照強度2000lx，光照時間14小時/天。
5.根據權利要求1所述的離體快繁中華蓑蘚配子體的方法，其特征在于，步驟2)中配子體增殖擴繁的培養基配方pH為6.0。
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