[發明專利]圖像傳感器結構及其封裝方法有效
| 申請號: | 201410217743.4 | 申請日: | 2014-05-20 |
| 公開(公告)號: | CN103996684B | 公開(公告)日: | 2017-06-20 |
| 發明(設計)人: | 鄧輝;趙立新 | 申請(專利權)人: | 格科微電子(上海)有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;H01L23/34;H01L21/768;H01L21/56 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務所11256 | 代理人: | 鄭立柱 |
| 地址: | 201203 上海市*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 圖像傳感器 結構 及其 封裝 方法 | ||
1.一種圖像傳感器的封裝方法,其特征在于,包括:
提供圖像傳感器芯片和透明的封裝基板,所述圖像傳感器芯片的正面有圖像感應區和環繞所述圖像感應區的焊盤區域;
鍵合金屬導線的第一端于所述焊盤,所述金屬導線的第二端懸空于所述圖像傳感器芯片;
匹配粘合所述封裝基板、所述圖像傳感器芯片為一封裝件,所述金屬導線的第二端懸空,不被粘合覆蓋。
2.根據權利要求1所述的圖像傳感器的封裝方法,其特征在于,還包括:所述懸空的金屬導線能夠通過SMT或壓焊方式電性連接印刷電路板、柔性電路板或陶瓷電路板。
3.根據權利要求1所述的圖像傳感器的封裝方法,其特征在于,還包括:粘合覆蓋所述焊盤區域、金屬導線第一端的周邊區域。
4.根據權利要求1所述的圖像傳感器的封裝方法,其特征在于,還包括:提供封裝框架,所述封裝框架匹配粘合于所述封裝基板、圖像傳感器芯片。
5.根據權利要求4所述的圖像傳感器的封裝方法,其特征在于,還包括:于所述封裝框架上打上標識。
6.根據權利要求4所述的圖像傳感器的封裝方法,其特征在于,所述封裝框架包括:內框架與外框架,所述內框架與外框架之間設置有貫穿的空隙區域。
7.根據權利要求6所述的圖像傳感器的封裝方法,其特征在于,還包括:由所述內框架與外框架之間的所述空隙區域填入粘性材質。
8.根據權利要求4所述的圖像傳感器的封裝方法,其特征在于,所述封裝框架位于所述封裝基板與所述圖像傳感器芯片的中間,所述封裝框架將所述圖像感應區與焊盤區域隔離。
9.根據權利要求4所述的圖像傳感器的封裝方法,其特征在于,所述封裝框架鄰近封裝基板具有第二端,所述第二端沿豎直方向突出于封裝基板10微米以上。
10.根據權利要求4所述的圖像傳感器的封裝方法,其特征在于,所述封裝框架鄰近封裝基板有第二端,所述第二端的內表面設置有通氣槽或膠水擴展槽。
11.根據權利要求4所述的圖像傳感器的封裝方法,其特征在于,所述封裝框架鄰近圖像傳感器芯片有第三端,所述第三端沿豎直方向突出于所述圖像傳感器芯片焊盤面的10微米以上。
12.根據權利要求7所述的圖像傳感器的封裝方法,其特征在于,所述封裝框架鄰近圖像傳感器芯片有第三端,所述第三端具有傾斜于所述外框架結構內表面的斜面,所述斜面的位置對應于所述空隙區域,所述斜面防止所述粘性材質溢出。
13.根據權利要求1所述的圖像傳感器的封裝方法,其特征在于,還包括:采用定型治具定型所述金屬導線。
14.根據權利要求4所述的圖像傳感器的封裝方法,其特征在于,所述封裝基板與所述圖像傳感器芯片之間的距離大于等于40微米。
15.根據權利要求4所述的圖像傳感器的封裝方法,其特征在于,所述封裝框架對應于所述封裝基板、所述圖像傳感器芯片的四個角區域具有保護區域,所述保護區域于所述封裝框架與所述封裝基板之間、所述封裝框架與所述圖像傳感器芯片之間預留空間。
16.根據權利要求7所述的圖像傳感器的封裝方法,其特征在于,通過點膠方式、畫膠方式、灌膠方式、絲印方式中的一種或多種填入所述粘性材質。
17.根據權利要求1所述的圖像傳感器的封裝方法,其特征在于,所述封裝基板為玻璃材質、塑料材質或藍寶石材質。
18.根據權利要求1所述的圖像傳感器的封裝方法,其特征在于,還包括:所述封裝基板的單面分別鍍上紅外濾光膜、光學增透膜或雙面分別鍍上紅外濾光膜和光學增透膜。
19.根據權利要求2所述的圖像傳感器的封裝方法,其特征在于,還包括:于所述圖像傳感器芯片的反面形成有粘性可變的粘接材質,用于固定所述封裝件于所述印刷電路板、所述柔性電路板或所述陶瓷電路板。
20.根據權利要求19所述的圖像傳感器的封裝方法,其特征在于,所述粘性可變的粘接材質為熱熔膠。
21.根據權利要求1所述的圖像傳感器的封裝方法,其特征在于,所述金屬導線為金線、銅線、鋁線、銀線或合金線。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





