[發(fā)明專利]一種主控電路用外圍電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410217607.5
• 申請日: 2014-05-20
• 公開（公告）號: CN103973293B
• 公開（公告）日: 2016-11-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 姜婷
• 申請（專利權(quán)）人: 上海貝嶺股份有限公司
• 主分類號: H03K19/0185
• 分類號: H03K19/0185
• 代理公司: 上海弼興律師事務(wù)所 31283
• 代理人: 薛琦

1.一種主控電路用外圍電路，所述主控電路上設(shè)有L1端口、L2端口、GND端口、I/O端口、VCC端口和CLK端口，其中所述GND端口接地，所述L1端口通過第一限流電阻R1連接第一支路M1，所述L2端口通過第二限流電阻R2連接第二支路M2，所述VCC端口同時連接所述第一支路M1和所述第二支路M2；

該外圍電路包括：放電電容C1、直流電壓源Vs、開關(guān)K、限流電阻R4和二極管D1，所述放電電容C1的負(fù)極接地，正極接所述主控電路的VCC端口，所述直流電壓源Vs負(fù)極接地，正極經(jīng)過所述開關(guān)K接所述二極管D1的正極，所述二極管D1的負(fù)極接所述主控電路的VCC端口，所述限流電阻R4的一端接所述二極管D1的正極，另外一端接所述主控電路的CLK端口，其特征在于：

其還包括一端與所述主控電路的I/O端口連接，另一端接地的放電電阻R3。

2.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種主控電路用外圍電路，其特征在于：所述第一限流電阻R1、所述第二限流電阻R2、所述限流電阻R4的阻值為1～10KΩ,所述放電電阻R3的阻值為10～100KΩ，所述放電電容C1的容量為100～1000μF。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種主控電路用外圍電路，其特征在于：該外圍電路還包括第一分壓電阻R7和第二分壓電阻R8，所述第一分壓電阻R7和所述開關(guān)K串聯(lián)，連接所述限流電阻R4與所述直流電壓源Vs的正極，以及所述直流電壓源Vs的正極與所述二極管D1的正極，所述第二分壓電阻R8的一端連接所述限流電阻R4以及所述二極管D1的正極，另外一端接地，所述第一分壓電阻R7和所述第二分壓電阻R8均為可變電阻。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種主控電路用外圍電路，其特征在于：所述第二分壓電阻R8并聯(lián)有一個5V的穩(wěn)壓二極管Z1。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種主控電路用外圍電路，其特征在于：該外圍電路還包括一個一端連接所述主控電路的CLK端口，另外一端接地的濾波電容C2。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種主控電路用外圍電路，其特征在于：所述第一限流電阻R1、所述第二限流電阻R2、所述限流電阻R4的阻值為1～10KΩ,所述放電電阻R3的阻值為10～100KΩ，所述放電電容的容量為100～1000μF，所述濾波電容C2的容量為1～1000nF。

7.根據(jù)權(quán)利要求3～6所述的一種主控電路用外圍電路，其特征在于：所述主控電路為BL22P02型主控芯片。

8.根據(jù)權(quán)利要求1～6中任意一項所述的一種主控電路用外圍電路，其特征在于：所述第一支路M1包括一個源極連接所述主控電路的VCC端口，柵極連接所述第一限流電阻R1的第一后段PMOS管Q1，所述第二支路M2包括一個源極連接所述主控電路的VCC端口，柵極連接所述第二限流電阻R2的第二后段PMOS管Q2。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種主控電路用外圍電路，其特征在于：所述第一支路M1還包括一個連接所述第一后段PMOS管Q1的源極和柵極的第一偏置電阻R5,所述第二支路M2還包括一個連接所述第二后段PMOS管Q2的源極和柵極的第二偏置電阻R6。