[發(fā)明專利]器件設(shè)計(jì)尺寸的提取方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410217449.3
• 申請(qǐng)日: 2014-05-21
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN105093815B
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-10-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉竹
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北大方正集團(tuán)有限公司;深圳方正微電子有限公司
• 主分類號(hào): G03F1/44
• 分類號(hào): G03F1/44;G03F7/20;H01L21/027
• 代理公司: 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205
• 代理人: 劉芳

1.一種器件設(shè)計(jì)尺寸的提取方法，其特征在于，包括：

分別將器件中每層平面圖形和CD Bar進(jìn)行刻蝕處理，以在平面圖形對(duì)應(yīng)的掩膜版上形成所述平面圖形和CD Bar；

對(duì)于每個(gè)所述掩膜版，采用多種曝光條件，分別對(duì)所述掩膜版上的平面圖形和CD Bar進(jìn)行曝光處理，使得所述掩膜版上的不同曝光條件下的平面圖形和CD Bar轉(zhuǎn)移到所述掩膜版對(duì)應(yīng)的樣品晶片上；

對(duì)于每個(gè)所述樣品晶片，量取所述樣品晶片上每個(gè)曝光條件下的CD Bar的數(shù)值，并分別將每個(gè)曝光條件下的CD Bar的數(shù)值和CD Bar的實(shí)際設(shè)計(jì)尺寸對(duì)比，獲取所述樣品晶片上的最佳曝光條件；其中，所述最佳曝光條件下的CD Bar的數(shù)值與CD Bar的實(shí)際設(shè)計(jì)尺寸之差均小于除最佳曝光條件之外的其他曝光條件下的CD Bar的數(shù)值與CD Bar的實(shí)際設(shè)計(jì)尺寸之差；

分別對(duì)每個(gè)樣品晶片上所述最佳曝光條件下的平面圖形進(jìn)行測(cè)量，獲取所述器件中每層平面圖形的設(shè)計(jì)尺寸。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述對(duì)于每個(gè)所述掩膜版，采用多種曝光條件，分別對(duì)所述掩膜版上的平面圖形和CD Bar進(jìn)行曝光處理，使得所述掩膜版上的不同曝光條件下的平面圖形和CD Bar轉(zhuǎn)移到所述掩膜版對(duì)應(yīng)的樣品晶片上，包括：

對(duì)于每個(gè)所述掩膜版，采用多種焦距/能量拉偏矩陣FEM實(shí)驗(yàn)條件，分別對(duì)所述掩膜版上的平面圖形和CD Bar進(jìn)行曝光處理，使得所述掩膜版上的不同曝光條件下平面圖形和CDBar轉(zhuǎn)移到所述掩膜版對(duì)應(yīng)的樣品晶片上與所述曝光條件對(duì)應(yīng)的區(qū)域上。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述樣品晶片為表面無(wú)圖形的樣品晶片，且所述樣品晶片的正面涂覆預(yù)設(shè)厚度的光刻膠。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，在每個(gè)所述區(qū)域上，每個(gè)CD Bar對(duì)應(yīng)一個(gè)或者兩個(gè)平面圖形，以用于監(jiān)控所述一個(gè)或者兩個(gè)平面圖形的CD變化。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，還包括：

根據(jù)所述器件中每層平面圖形的設(shè)計(jì)尺寸，對(duì)所述器件進(jìn)行失效分析處理。