[發(fā)明專利]半導體器件及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410217159.9
• 申請日: 2014-05-22
• 公開（公告）號: CN104183551B
• 公開（公告）日: 2018-08-28
• 發(fā)明（設計）人: 鄭盛允;裵珍惠;權亨峻;樸鐘撤;李源俊
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L21/8239
• 分類號: H01L21/8239;H01L27/105
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 翟然

1.一種制造半導體器件的方法，該方法包括：

在襯底上形成材料層；

執(zhí)行選擇性氧化工藝，以在所述材料層的第一表面上形成覆蓋氧化物層，其中所述材料層的第二表面沒有被氧化；以及

經由所述材料層的所述第二表面蝕刻所述材料層以形成材料圖案，

其中，在所述材料層被蝕刻時，所述覆蓋氧化物層的蝕刻速率小于所述材料層的蝕刻速率，

其中所述方法，還包括：

在形成所述材料層之前，在所述襯底上形成下圖案，

其中所述材料層形成為覆蓋所述下圖案的側壁的至少一部分和上表面；

其中所述材料層的所述第一表面覆蓋所述下圖案的所述上表面；

其中所述材料層的所述第二表面覆蓋所述下圖案的所述側壁的至少一部分；以及

其中所述材料圖案形成在所述下圖案的所述上表面上。

2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中在所述下圖案的所述上表面上的所述材料層比在所述下圖案的所述側壁上的所述材料層厚。

3.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中所述選擇性氧化工藝是具有特定氧化方向的各向異性氧化工藝；以及

其中在所述選擇性氧化工藝中，所述材料層的所述第一表面在所述特定氧化方向上暴露，所述材料層的所述第二表面沒有在所述特定氧化方向上暴露。

4.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中所述材料層通過各向同性蝕刻工藝而被蝕刻。

5.根據(jù)權利要求4所述的方法，其中所述各向同性蝕刻工藝是濕法蝕刻工藝。

6.一種制造半導體器件的方法，該方法包括：

在襯底上形成下電極；

形成導電層，所述導電層具有覆蓋所述下電極的上表面的第一表面和覆蓋所述下電極的側壁的至少一部分的第二表面；

執(zhí)行選擇性氧化工藝，以在所述導電層的所述第一表面上形成覆蓋氧化物層，其中所述導電層的所述第二表面沒有被氧化；以及

經由所述導電層的所述第二表面蝕刻所述導電層，以在所述下電極的所述上表面上形成上電極，

其中在所述導電層被蝕刻時，所述覆蓋氧化物層的蝕刻速率小于所述導電層的蝕刻速率。

7.根據(jù)權利要求6所述的方法，其中所述選擇性氧化工藝是具有垂直于所述襯底的上表面的氧化方向的各向異性氧化工藝。

8.根據(jù)權利要求7所述的方法，其中所述各向異性氧化工藝包括各向異性等離子體氧化工藝和各向異性熱氧化工藝中的至少之一。

9.根據(jù)權利要求6所述的方法，其中所述導電層通過各向同性蝕刻工藝而被蝕刻。

10.根據(jù)權利要求9所述的方法，其中所述各向同性蝕刻工藝是濕法蝕刻工藝。

11.根據(jù)權利要求6所述的方法，還包括：

在形成所述導電層之前，形成覆蓋所述下電極的所述側壁的至少一部分和所述上表面的數(shù)據(jù)存儲層，

其中所述導電層形成在所述數(shù)據(jù)存儲層上。

12.根據(jù)權利要求11所述的方法，還包括：

在形成所述數(shù)據(jù)存儲層之前，形成圍繞所述下電極的所述側壁的保護絕緣間隔物。

13.根據(jù)權利要求12所述的方法，其中形成所述保護絕緣間隔物包括：

在具有所述下電極的所述襯底上共形地形成保護絕緣層；以及

對所述保護絕緣層執(zhí)行回蝕工藝以形成所述保護絕緣間隔物。