[發(fā)明專(zhuān)利]一種基于共軛聚合物摻雜的電雙穩(wěn)器件及其制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410216917.5
• 申請(qǐng)日: 2014-05-21
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103972389A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-08-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 曹亞鵬;胡煜峰;婁志東;侯延冰;滕楓
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 北京交通大學(xué)
• 主分類(lèi)號(hào): H01L51/00
• 分類(lèi)號(hào): H01L51/00
• 代理公司: 北京眾合誠(chéng)成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11246
• 代理人: 黃家俊

1.一種基于共軛聚合物摻雜的電雙穩(wěn)器件，其特征在于：所述電雙穩(wěn)器件由基底(1)、緩沖層(2)、第一功能層(3)、第二功能層(4)和電極層(5)構(gòu)成，其中基底(1)、緩沖層(2)、第一功能層(3)、第二功能層(4)和電極層(5)順次相連；

所述緩沖層(2)為聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸膜；

所述第一功能層(3)為氧化鋅納米晶和聚氧化乙烯的混合物膜，其中氧化鋅納米晶均勻分散包裹于聚氧化乙烯中，所述氧化鋅納米晶和聚氧化乙烯的質(zhì)量比為1：1；

所述第二功能層(4)為聚甲基丙烯酸甲酯膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于共軛聚合物摻雜的電雙穩(wěn)器件，其特征在于：所述基底(1)為附有導(dǎo)電材料的玻璃基片。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種基于共軛聚合物摻雜的電雙穩(wěn)器件，其特征在于：所述導(dǎo)電材料為氧化銦錫。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于共軛聚合物摻雜的電雙穩(wěn)器件，其特征在于：所述電極層(5)為鋁電極層。

5.如權(quán)利要求1所述的一種基于共軛聚合物摻雜的電雙穩(wěn)器件的制備方法，其特征在于，具體步驟如下：

步驟1，使用清洗劑將基底(1)清洗干凈，再將其依次置入去離子水、丙酮和酒精中浸泡，并各超聲30分鐘以上，經(jīng)氮?dú)饬鞲稍锖螅谧贤獬粞醐h(huán)境中處理15分鐘以上；

步驟2，將緩沖層(2)材料聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸溶液均勻旋涂于經(jīng)步驟1處理的基底(1)上，形成緩沖層(2)；

步驟3，將步驟2所得樣品進(jìn)行干燥，使水分充分蒸發(fā)；

步驟4，按比例稱(chēng)量聚氧化乙烯，按比例加入氧化鋅納米晶的氯苯溶液，將所得混合溶液進(jìn)行磁力攪拌使其充分混合；將所得混合均勻的混合溶液旋涂于緩沖層(2)上，形成第一功能層(3)；

步驟5，配置聚甲基丙烯酸甲酯溶液，并進(jìn)行磁力攪拌使其充分溶解，將所得溶液均勻的旋涂于第一功能層(3)上表面，形成第二功能層(4)；

步驟6，在10^-4Pa以上真空度的真空環(huán)境下將電極材料蒸鍍到第二功能層(4)上，形成電極層(5)，得到所需一種基于共軛聚合物摻雜的電雙穩(wěn)器件。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種基于共軛聚合物摻雜的電雙穩(wěn)器件的制備方法，其特征在于：所述步驟2中旋涂轉(zhuǎn)速為3000轉(zhuǎn)/分鐘，旋涂成膜時(shí)間為60秒。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種基于共軛聚合物摻雜的電雙穩(wěn)器件的制備方法，其特征在于：所述步驟3中干燥溫度為150℃，干燥時(shí)間為15分鐘以上。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種基于共軛聚合物摻雜的電雙穩(wěn)器件的制備方法，其特征在于：所述步驟4中旋涂轉(zhuǎn)速為1000轉(zhuǎn)/分鐘，旋涂成膜時(shí)間為60秒。

9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種基于共軛聚合物摻雜的電雙穩(wěn)器件的制備方法，其特征在于：所述步驟5中旋涂轉(zhuǎn)速為2000轉(zhuǎn)/分鐘，旋涂成膜時(shí)間為60秒。