[發(fā)明專利]一種晶圓版圖的CDSEM測量方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410216745.1
• 申請日: 2014-05-21
• 公開（公告）號: CN105097585B
• 公開（公告）日: 2018-05-04
• 發(fā)明（設計）人: 王輝;王良
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所11336
• 代理人: 高偉,馮永貞

技術領域

本發(fā)明涉及半導體領域，具體地，本發(fā)明涉及一種晶圓版圖的CDSEM測量方法。

背景技術

集成電路制造技術是一個復雜的工藝，技術更新很快。表征集成電路制造技術的一個關鍵參數為最小特征尺寸，即關鍵尺寸(critical dimension，CD)，關鍵尺寸的大小從最初的125微米發(fā)展到現在的0.13微米，甚至更小，正是由于關鍵尺寸的減小才使得每個芯片上設置百萬個器件成為可能。

隨著半導體器件尺寸的不斷縮小，所述器件的邏輯區(qū)故障排除(Logic area debug)變得更加困難，因為故障區(qū)域或者具有缺陷的地方很難找到，現有技術中尋找缺陷點(weak point)的方法通常為先將所述設計后的版圖輸入，查找關鍵層(critical layer)的缺陷點(weak point)，包括有源區(qū)(AA)、接觸孔(CT)、通孔(VIA)等，現有技術中大都通過測量關鍵尺寸的掃描電子顯微鏡(CDSEM)對圖案的關鍵尺寸進行測量，以便查找到所述圖案中的存在的缺陷點。

在該過程中，由于版圖中的圖案都非常相近，在進行缺陷點的檢查時通常需要將其中的一個被測圖案A作為另一個被測圖案B的定位圖案(addressing pattern)，將A作為參照，對圖案B進行測量，特別是在缺陷點相鄰很近的時候，所述方法具有較高的效率。但是所述方法仍存在很多不足，其中被測圖案A作為另一個被測圖案B的定位圖案在進行CDSEM測量時受到電子的轟擊，而在對被測圖案A進行測量時，需要再次對所述被測圖案A進行電子轟擊，所以被測圖案A在整個測量過程中將受到兩次電子的轟擊，使得被測圖案A的測量結果不夠產生偏差，不夠準確。

因此，現有技術中對于缺陷點檢測時，其中某些被測圖案成為定位圖案被電子轟擊，在測量時會被再次轟擊導致測量結果不夠準確，而現有技術中并沒有方法能夠確保測試圖案不被作為定位圖案，所以需要對現有技術進行改進，以便消除上述難題，提高測量的準確度。

發(fā)明內容

在發(fā)明內容部分中引入了一系列簡化形式的概念，這將在具體實施方式部分中進一步詳細說明。本發(fā)明的發(fā)明內容部分并不意味著要試圖限定出所要求保護的技術方案的關鍵特征和必要技術特征，更不意味著試圖確定所要求保護的技術方案的保護范圍。

本發(fā)明為了解決現有技術中存在的問題，提供了一種晶圓版圖的CDSEM測量方法，包括：

步驟(a)選擇測量圖案，并檢查所述測量圖案是否已經用作定位圖案；

步驟(b)選擇所述測量圖案的定位圖案，并檢測所述定位圖案是否為所有測量圖案中的一個，以防止所述測量圖案作為另一測量圖案的定位圖案在CDSEM測量中被電子放射多次。

作為優(yōu)選，在所述步驟(a)中，若所述測量圖案已經用作定位圖案，則發(fā)出警告，并查找到選用所述測量圖案作為定位圖案的點，對所述點重新選擇定位圖案，選用測量圖案以外的圖案作為所述定位圖案；

若所述測量圖案沒有用作定位圖案，執(zhí)行步驟(b)。

作為優(yōu)選，在所述步驟(b)中，若所述定位圖案為所有測量圖案中的一個，則發(fā)出警告，并對所述定位圖案進行重新選擇，選用測量圖案以外的圖案作為所述定位圖案。

作為優(yōu)選，若所述定位圖案沒有用作測量圖案，則對所述定位圖案進行編輯。

作為優(yōu)選，所述方法還包括對所述測量圖案進行編輯測量的步驟。

在本發(fā)明中通過兩個步驟對測量圖案進行檢查，所述兩個步驟分別為檢查所述版圖中測量圖案是否已經用作定位圖案，同時檢測所述定位圖案是否已經作為測量圖案，以防止測量圖案作為另一測量圖案的定位圖案，在CDSEM測量中被電子放射多次，以確保所述測量圖案測量的準確性。

附圖說明

本發(fā)明的下列附圖在此作為本發(fā)明的一部分用于理解本發(fā)明。附圖中示出了本發(fā)明的實施例及其描述，用來解釋本發(fā)明的裝置及原理。在附圖中，

圖1為本發(fā)明一具體實施方式中晶圓版圖的CDSEM測量方法的框架圖。

具體實施方式

在下文的描述中，給出了大量具體的細節(jié)以便提供對本發(fā)明更為徹底的理解。然而，對于本領域技術人員而言顯而易見的是，本發(fā)明可以無需一個或多個這些細節(jié)而得以實施。在其他的例子中，為了避免與本發(fā)明發(fā)生混淆，對于本領域公知的一些技術特征未進行描述。