[發(fā)明專利]一種掩膜版霧化控制方法及裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410216694.2 | 申請日: | 2014-05-21 |
| 公開(公告)號: | CN105093814B | 公開(公告)日: | 2019-08-13 |
| 發(fā)明(設計)人: | 徐卿棟;盧子軒 | 申請(專利權)人: | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/44 | 分類號: | G03F1/44;G03F1/72;G03F7/20 |
| 代理公司: | 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 李儀萍 |
| 地址: | 201203 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 掩膜版 霧化 控制 方法 裝置 | ||
1.一種掩膜版霧化控制方法,其特征在于,至少包括以下步驟:
1)從待掃描測試的掩膜版中選擇出在預設時間內(nèi)使用次數(shù)大于或等于預設次數(shù)的第一數(shù)量掩膜版;
2)依據(jù)公式R=r1*r2*r3*r4*r5計算出所述第一數(shù)量掩膜版中各掩膜版的霧化風險值R,其中,r1為掩膜版的曝光總劑量風險值,r2為掩膜版的使用年限風險值,r3為掩膜版的清洗次數(shù)風險值,r4為掩膜版的存儲方式風險值,r5為掩膜版的制程線寬風險值;
3)依據(jù)霧化風險值從高到低依次對全部或部分掩膜版進行掃描測試,并根據(jù)掃描測試的結果確定實際被霧化的掩膜版;
4)對實際被霧化的掩膜版進行修復。
2.根據(jù)權利要求1所述的掩膜版霧化控制方法,其特征在于:步驟1)中所述的預設次數(shù)為5~20次中的任意一種。
3.根據(jù)權利要求1所述的掩膜版霧化控制方法,其特征在于:所述掩膜版的曝光總劑量風險值由r1=k1x+A,0<x≤500或r1=k2ln(x)-B,x>500確定,其中,k1的范圍為0.0004~0.0008,A的范圍為0.15~0.25,k2的范圍為0.5~0.6,B的范圍為3~3.5,x為掩膜版的曝光次數(shù)。
4.根據(jù)權利要求1所述的掩膜版霧化控制方法,其特征在于:所述掩膜版的使用年限風險值由r2=k3y2+k4y+C,0<y≤4或r2=D,y>4確定,其中,k3的范圍為0.1~0.18,k4的范圍為0.04~0.08,C的范圍為0.3~0.5,D的范圍為2.5~3,y為掩膜版的使用年限。
5.根據(jù)權利要求1所述的掩膜版霧化控制方法,其特征在于:所述掩膜版的清洗次數(shù)風險值由r3=k5z2+k6z+E,0<z≤3或r3=F,z>3確定,其中,k5的范圍為0.25~0.3,k6的范圍為0.7~1,E的范圍為0.9~1,F(xiàn)的范圍為5~7,z為掩膜版的清洗次數(shù)。
6.根據(jù)權利要求1所述的掩膜版霧化控制方法,其特征在于:所述掩膜版的存儲方式風險值為:當存儲方式為惰性氣體保護存儲時,r4的范圍為0.3~0.5;當存儲方式為常規(guī)存儲時,r4的范圍為0.8~1.2。
7.根據(jù)權利要求1所述的掩膜版霧化控制方法,其特征在于:所述掩膜版的制程線寬風險值為:當所述掩膜版的線寬為356nm時,r5的范圍為0.6~1;當所述掩膜版的線寬為248nm時,r5的范圍為1~1.4,當所述掩膜版的線寬為193nm時,r5的范圍為4~6。
8.根據(jù)權利要求1所述的掩膜版霧化控制方法,其特征在于:步驟3)中,當霧化風險值R<1時,則判斷該掩膜版為低霧化風險,可繼續(xù)正常使用;當1≤R<5時,則判斷該掩膜版為有霧化風險,應盡快安排霧化掃描測試;當R>5時,則判斷該掩膜版為高霧化風險,應立刻停止使用并立即進行霧化掃描測試。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





