[發明專利]雙垂直窗三埋層SOI高壓器件結構

在審

• 申請號: 201410216653.3
• 申請日: 2014-05-22
• 公開（公告）號: CN105097823A
• 公開（公告）日: 2015-11-25
• 發明（設計）人: 張炯;邵興;徐帆;程玉華
• 申請（專利權）人: 上海北京大學微電子研究院
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種雙窗雙埋層SOI高壓器件結構，包括三層埋氧層以及埋氧層之間的多晶硅層，其特征在于所開的兩個窗（第一埋層兩端分別與第二埋層兩端的連線）不與埋層平行或者第一埋層與第二埋層不在同一平面上，一二層與第三層埋層之間的填充多晶硅。

2.如權利要求1所述的雙窗雙埋層SOI高壓器件結構，其特征在于，所述窗口與埋層所成的角度為大于0°小于180°的角。

3.如權利要求1所述的雙窗雙埋層SOI高壓器件結構，所述前兩層埋氧層是可互換的，即第一埋層下降到第二埋層之下。

4.如權利要求1所述的雙窗雙埋層SOI高壓器件結構，所述前兩層埋氧層之間的垂直距離可變。

5.如權利要求1所述的雙窗雙埋層SOI高壓器件結構，所述的第一層與第三層的連接層到器件左邊界的距離是可變的。

6.如權利要求1所述的雙窗雙埋層SOI高壓器件結構，所述的多晶硅可以換成其他材料。