[發(fā)明專利]雙垂直窗三埋層SOI高壓器件結(jié)構(gòu)

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410216653.3
• 申請(qǐng)日: 2014-05-22
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN105097823A
• 公開(kāi)（公告）日: 2015-11-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張炯;邵興;徐帆;程玉華
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海北京大學(xué)微電子研究院
• 主分類號(hào): H01L27/12
• 分類號(hào): H01L27/12
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

1.一種雙窗雙埋層SOI高壓器件結(jié)構(gòu)，包括三層埋氧層以及埋氧層之間的多晶硅層，其特征在于所開(kāi)的兩個(gè)窗（第一埋層兩端分別與第二埋層兩端的連線）不與埋層平行或者第一埋層與第二埋層不在同一平面上，一二層與第三層埋層之間的填充多晶硅。

2.如權(quán)利要求1所述的雙窗雙埋層SOI高壓器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述窗口與埋層所成的角度為大于0°小于180°的角。

3.如權(quán)利要求1所述的雙窗雙埋層SOI高壓器件結(jié)構(gòu)，所述前兩層埋氧層是可互換的，即第一埋層下降到第二埋層之下。

4.如權(quán)利要求1所述的雙窗雙埋層SOI高壓器件結(jié)構(gòu)，所述前兩層埋氧層之間的垂直距離可變。

5.如權(quán)利要求1所述的雙窗雙埋層SOI高壓器件結(jié)構(gòu)，所述的第一層與第三層的連接層到器件左邊界的距離是可變的。

6.如權(quán)利要求1所述的雙窗雙埋層SOI高壓器件結(jié)構(gòu)，所述的多晶硅可以換成其他材料。