[發明專利]一種提高SOI器件擊穿電壓的器件新結構在審
| 申請號： | 201410216647.8 | 申請日： | 2014-05-22 |
| 公開（公告）號： | CN105097927A | 公開（公告）日： | 2015-11-25 |
| 發明（設計）人： | 徐帆;牟志強;蔣樂樂 | 申請（專利權）人： | 上海北京大學微電子研究院 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 提高 soi 器件 擊穿 電壓 結構 | ||
【權利要求書】：
1.一種SOI高壓器件新結構，包括漂移區，埋氧層，襯底，其特征是漂移區從源端到漏端逐漸變薄，但漏端的擊穿電壓不受漂移區變薄而降低。
2.根據權利要求1所術的SOI高壓器件,其特征是埋氧層將是階梯型埋氧層。
3.根據權利要求1所術的SOI高壓器件,其特征是源端到漏端埋氧層將是雙面階梯型埋氧層。
4.根據權利要求1所術的SOI高壓器件,其特征是漏端下方將是雙層復合介質埋層結構。
5.根據權利要求3所術的SOI高壓器件,其特征是雙層復合介質埋層之間開有窗口。
6.根據權利要求1所術的SOI高壓器件,其特征是雙層復合介質埋層之間將填充多晶硅介質。
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