[發(fā)明專利]一種SOI功率LDMOS場效應晶體管的結構及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410216632.1
• 申請日: 2014-05-22
• 公開（公告）號: CN105097922A
• 公開（公告）日: 2015-11-25
• 發(fā)明（設計）人: 徐帆;俞佳佳;蔣樂樂
• 申請（專利權）人: 上海北京大學微電子研究院
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種SOI功率LDMOS場效應晶體管的結構，包括：一個含有介質埋層（2）的半導體襯底層（1）；位于半導體襯底內部的圓形開口（3）；位于半導體襯底內部的源極緩變摻雜區(qū)（4）；位于半導體襯底內部的漏極緩變摻雜區(qū)（5）；位于有源區(qū)之上的柵極結構（6）；位于柵極與有源區(qū)之間的層間介質層（7）；以及位于介質層內部的金屬接觸（8）；其特征在于，所述開口的下半部分嵌在漏區(qū)中呈圓形或橢圓形；所述開口中填有氧化物介質。

2.如權利要求1所述的SOI功率LDMOS器件，其特征在于，源極緩變摻雜區(qū)（4）包括N型摻雜的源極摻雜區(qū)（4a）和N型摻雜的淺摻雜源區(qū)（4b）。

3.如權利要求1所述的SOI功率LDMOS器件，其特征在于，漏極緩變摻雜區(qū)（5）包括N型摻雜的漏極摻雜區(qū)（5a）、N型摻雜的淺漏摻雜區(qū)（5b），以及圓形開口（3）。

4.如權利要求1、3所述的SOI功率LDMOS器件，其特征在于，所述開口（3）的下半部分嵌在漏區(qū)中呈圓形或橢圓形，并填有氧化物介質。

5.如權利要求1所述的SOI功率LDMOS器件，其特征在于，所述柵結構（6）由柵絕緣層（6a）和柵極材料層（6b）形成。

6.如權利要求5所述的SOI功率LDMOS器件，其特征在于，其中源極緩變摻雜區(qū)（4）和柵極（6）具有部分交疊，漏極緩變摻雜區(qū)（5）緊貼柵極（6）的邊緣。

7.一種如權利要求1所述的功率器件的制造方法，包括如下步驟：提供半導體襯底；利用掩模進行離子注入，源極緩變摻雜區(qū)；在所述半導體表面形成柵極；在所述半導體表面形成開口；利用掩模進行離子注入，以在所述開口處形成漏極緩變摻雜區(qū)，所述掩模圖形至少暴露所述開口，所述漏極緩變摻雜區(qū)環(huán)繞所述開口；在所述漏極緩變摻雜區(qū)內形成漏區(qū)；在所述源極緩變摻雜區(qū)內形成源區(qū)；在所述半導體表面形成氧化物介質；在所述半導體層間介質層內形成金屬接觸。

8.如權利要求7所述的方法，其特征在于，所提供的半導體襯底為絕緣體上硅（SOI）。

9.如權利要求7所述的方法，其特征在于，柵極形成后，還包括形成淺摻雜漏區(qū)、漏極摻雜區(qū)以及形成淺摻雜源區(qū)、源極摻雜區(qū)的步驟。

10.如權利要求7所述的方法，其特征在于，形成漏極緩變摻雜區(qū)后，在所述開口內填充氧化物，以形成氧化物隔離結構。