[發明專利]一種具有階梯形屏蔽槽耐壓結構及雙漏極結構的SOI高壓器件

在審

• 申請號: 201410216630.2
• 申請日: 2014-05-22
• 公開（公告）號: CN105097920A
• 公開（公告）日: 2015-11-25
• 發明（設計）人: 張炯;曲凱;徐帆;程玉華
• 申請（專利權）人: 上海北京大學微電子研究院
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L29/08
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種具有階梯形屏蔽槽耐壓結構以及具有雙漏極結構的SOI高壓雙擴散金屬氧化物半導體場效應管器件，器件的橫向耐壓仍使用場板技術、表面P降場層的雙RESURF技術來解決；其特征是：此器件具有雙漏電極，增加了耗盡區與漏區的面積，減弱了橫向電常，提高了橫向擊穿電壓；對于器件的縱向耐壓，器件是通過在Si和埋層Si0₂界面上形成了階梯形的屏蔽槽的結構來解決。

2.如權利要求1所述的一種具有階梯形屏蔽槽耐壓結構以及具有雙漏極結構的SOI高壓器件，其特征在于，階梯形屏蔽槽結構位于漏區下方。

3.如權利要求1所述的一種具有階梯形屏蔽槽耐壓結構以及具有雙漏極結構的SOI高壓器件，其特征在于，階梯形屏蔽槽結構越靠近漏區其高度越高。

4.如權利要求1所述的一種具有階梯形屏蔽槽耐壓結構以及具有雙漏極結構的SOI高壓器件，其特征在于，在左右兩個漏區下方存在有對稱的屏蔽槽結構。

5.如權利要求1所述的一種具有階梯形屏蔽槽耐壓結構以及具有雙漏極結構的SOI高壓器件，其特征在于，屏蔽槽之間的距離是均勻的。

6.如權利要求1所述的一種具有階梯形屏蔽槽耐壓結構以及具有雙漏極結構的SOI高壓器件，其特征在于，該器件具有兩個漏極。

7.如權利要求1所述的一種具有階梯形屏蔽槽耐壓結構以及具有雙漏極結構的SOI高壓器件，其特征在于，該器件兩個漏極對稱分布。

8.如權利要求6和7所述的兩個對稱的雙漏極結構，其特征在于，雙漏極位于金屬氧化物場效應管的兩端。