[發明專利]有機發光二極管顯示器及其制造方法有效
| 申請號: | 201410216199.1 | 申請日: | 2014-05-21 |
| 公開(公告)號: | CN104183620B | 公開(公告)日: | 2018-10-19 |
| 發明(設計)人: | 鄭哲宇;樸順龍;蘇正鎬;白碩基;金光赫;嚴廷镕 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京英賽嘉華知識產權代理有限責任公司 11204 | 代理人: | 余朦;劉錚 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光二極管 顯示器 及其 制造 方法 | ||
公開了有機發光二極管顯示器,其包括配置為顯示圖像的有機發光二極管顯示器面板,以及與有機發光二極管顯示器面板的底部附接的下鈍化膜。下鈍化膜包括與有機發光二級管顯示器面板接觸的支承膜,以及應力調節層,應力調節層形成在支承膜下方并配置為減小當有機發光二極管顯示器面板和下鈍化膜被彎曲時在有機發光二極管顯示器面板中所導致的彎曲應力。
技術領域
本發明大體涉及平板顯示器。更具體地,本發明的實施方式涉及有機發光二極管顯示器及其制造方法。
背景技術
有機發光二極管顯示器包括有機發光元件,該有機發光元件具有空穴注入電極、有機發光層、以及電子注入電極。每個有機發光元件均因當通過在有機發光層中使電子和空穴結合而生成的激子從激發態落入更低態時生成的能量而進行發光。
由于有機發光元件可由于外部因素(諸如外部水分、氧氣、或紫外(UV)射線)而發生劣化,故期望對有機發光元件進行密封。此外,常常期望有機發光二極管顯示器具有較小厚度或易于彎曲,以將有機發光元件應用于各種應用。薄膜封裝(TFE)技術近來已用于薄密封有機發光二極管顯示器的開發。薄膜封裝技術常常需要在形成于顯示基底的顯示區域中的有機發光元件上交替地層壓一個或多個無機層和有機層,以利用薄膜封裝層覆蓋顯示區域。當有機發光二極管顯示器的具有薄膜封裝層的顯示器基底由柔性膜(諸如聚酰亞胺(PI))形成時,該顯示器基底易于彎曲并且有助于減小厚度。
當柔性有機發光二極管顯示器被彎曲時,出現應力。特別地,拉張應力朝著凸狀外表面出現而壓應力朝著凹狀內表面出現。不存在應力的中性面NP出現在位于內表面與外表面之間的中間區域中。僅當有機發光元件位于中性面中時,才能在有機發光二極管顯示器中避免畫面異常。
然而,當有機發光二極管顯示器的厚度被內部膜和外部膜(諸如附接至有機發光二極管顯示器的偏振膜和鈍化膜)增大時,拉張應力和壓應力增大并且中性面發生位移。因此,難以將有機發光元件定位在中性面中。此外,由于有機發光二極管顯示器具有由復雜材料制成的層狀結 構,因彎曲的彎曲部處的內表面和外表面上的拉張應力和壓應力的差別而出現應變不對稱。因此,難以將有機發光元件定位在中性面中,因而導致畫面異常。
背景技術部分中公開的上述信息僅用于增強對本發明的背景的理解,因此其可包含不形成在本國為本領域技術人員所已知的現有技術的信息。
發明內容
本發明的實施方式提供一種有機發光二極管顯示器,其選擇性地調節彎曲部分的應變以減小彎曲部分中的應力,本發明的實施方式還提供了一種制造這種有機發光二極管顯示器的方法。
本發明的一個示例性實施方式提供了一種有機發光二極管顯示器,其包括配置為顯示圖像的有機發光二極管顯示器面板。下鈍化膜與有機發光二極管顯示器面板的底部附接。下鈍化膜包括與有機發光二級管顯示器面板接觸的支承膜。應力調節層形成在支承膜下方并配置為減少當有機發光二極管顯示器面板和下鈍化膜被彎曲時在有機發光二極管顯示器面板中所導致的彎曲應力。
應力調節層可包括被設置為彼此相鄰的多個應力調節圖案。
應力調節圖案可具有選自三角形形狀、梯形形狀、以及半圓形形狀的任一種形狀。
相鄰的應力調節圖案的下端可直接相連或彼此隔開。
有機發光二極管顯示器面板可包括平的部分和位于平的部分的端部處的彎曲部分。
應力調節圖案可包括定位為與平的部分相對應的第一應力調節圖案和定位為與彎曲部分相對應的第二應力調節圖案。第二應力調節圖案之間的間隔可小于第一應力調節圖案之間的間隔。
第一應力調節圖案之間的間隔和第二應力調節圖案之間的間隔分別可以是第一應力調節圖案的上端的中心軸線之間的間隔和第二應力調節圖案的上端的中心軸線之間的間隔。
下鈍化膜還可包括平面鈍化層,該平面鈍化層形成在支承膜下方并 與應力調節層相鄰。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





