[發明專利]一種氮化鉭納米管陣列電極及其制備方法

無效

• 申請號: 201410216132.8
• 申請日: 2014-05-21
• 公開（公告）號: CN103981558A
• 公開（公告）日: 2014-08-13
• 發明（設計）人: 鞏金龍;張鵬;王拓;張冀杰;常曉俠;李盎
• 申請（專利權）人: 天津大學
• 主分類號: C25D11/26
• 分類號: C25D11/26
• 代理公司: 天津市北洋有限責任專利代理事務所 12201
• 代理人: 琪琛

1.一種氮化鉭納米管陣列電極，包括基底上的氮化鉭納米管陣列，其特征在于，

所述基底為金屬鉭片；

所述氮化鉭納米管陣列中納米管的內徑為20-90nm，長度為100-900nm，壁厚為10-45nm；

所述氮化鉭納米管陣列與所述基底緊密連接，兩者連接處的模擬電阻值為7.4-25.8Ω。

2.一種如權利要求1所述的氮化鉭納米管陣列電極的制備方法，其特征在于，該方法按照以下步驟進行：

（1）一次陽極氧化：在標準兩電極電化學池中，以金屬鉭片為陽極，鉑電極為陰極，在20-40V的直流電壓下，以濃度為0.230-0.536mol/L的HF的H₂SO₄溶液為電解質溶液，在0-25℃的溫度下進行10-20min的陽極氧化；超聲處理使表面形成的納米管陣列與金屬鉭片基底分離；干燥；

（2）二次陽極氧化：在標準兩電極電化學池中，以超聲處理后的金屬鉭片基底為陽極，鉑電極為陰極，在5-35V的直流電壓下，以0.077-0.383mol/L的HF的H₂SO₄溶液為電解質溶液，在0-25℃的溫度下進行2.5-10min的陽極氧化；用去離子水小心沖洗掉表面的電解質溶液；

（3）在管式爐中300-700ml/min流量的NH₃氛圍下，于700-1100℃進行焙燒2-16小時，得到所述氮化鉭納米管陣列電極。

3.根據權利要求2所述的一種氮化鉭納米管陣列電極的制備方法，其特征在于，步驟（1）中的所述金屬鉭片預先分別在丙酮、去離子水、乙醇溶液中超聲處理30min；用去離子水清潔表面；干燥。

4.根據權利要求2所述的一種氮化鉭納米管陣列電極的制備方法，其特征在于，步驟（1）中的所述金屬鉭片厚度為0.10-0.50mm，純度為99.5%，面積為1×1-2×2cm²。

5.根據權利要求2所述的一種氮化鉭納米管陣列電極的制備方法，其特征在于，步驟（1）和步驟（2）中所述HF的H₂SO₄溶液由去離子水、HF水溶液和H₂SO₄配制，其中H₂SO₄的質量分數為95-98%，化學純。