[發明專利]一種用于超高溫環境下的SiC絕壓腔制備方法有效
| 申請號： | 201410215910.1 | 申請日： | 2014-05-21 |
| 公開（公告）號： | CN103991840A | 公開（公告）日： | 2014-08-20 |
| 發明（設計）人： | 曹正威;尹玉剛;鄒江波;張世名;趙廣宏;許姣 | 申請（專利權）人： | 北京遙測技術研究所;航天長征火箭技術有限公司 |
| 主分類號： | B81C1/00 | 分類號： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 中國航天科技專利中心 11009 | 代理人： | 安麗 |
| 地址： | 100076 北京市*** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 用于 超高溫 環境 sic 絕壓腔 制備 方法 | ||
1.一種用于超高溫環境下的SiC絕壓腔制備方法，其特征在于步驟如下：
（1）準備兩片一定尺寸4H-SiC片；
（2）取第一片SiC片，利用磁控濺射在Si面分別依次生長一定厚度的Ti和Ni作為ICP刻蝕掩蔽膜，光刻圖形化一定圖形；
（3）對步驟（2）中帶有一定圖形的SiC片進行干法刻蝕，其中Ti和Ni作為掩蔽膜，刻蝕完成后去除掩膜層；
（4）將步驟（3）中去除掩蔽膜的SiC片和第二片SiC片進行RCA清洗；
（5）將步驟（4）中清洗后的兩片SiC片在濃HF酸中進行不少于30min的漂洗，漂洗完成后在去離子水中清洗干凈，最后把晶片完全浸沒在去離子水中并在水中進行對準貼合實現預鍵合；
（6）利用氮氣槍把步驟（5）中預鍵合好的鍵合片表面的水吹干；
（7）把預鍵合好的鍵合片置于超高溫真空熱壓爐中進行熱處理，熱處理過程是：抽真空至5×10-3Pa，開始升溫至1150℃～1200℃，當溫度達到1150℃～1200℃時再施加20MPa的壓力，保持溫度和壓力3-4小時，最終實現用于超高溫環境下的SiC絕壓腔制備。
2.根據權利要求1所述的一種用于超高溫環境下的SiC絕壓腔制備方法，其特征在于在：所述步驟（1）中的兩片SiC片的尺寸為3英寸，表面粗糙度小于0.5nm的4H-SiC片，導電類型為N型或P型。
3.根據權利要求1所述的一種用于超高溫環境下的SiC絕壓腔制備方法，其特征在于在：所述步驟（2）中一定厚度的Ti約為20nm，一定厚度的Ni不小于20nm。
4.根據權利要求1所述的一種用于超高溫環境下的SiC絕壓腔制備方法，其特征在于在：所述步驟（5）中兩片SiC在HF酸中漂洗時間為30min。
5.根據權利要求1所述的一種用于超高溫環境下的SiC絕壓腔制備方法，其特征在于在：所述步驟（2）中光刻圖形化一定圖形的一定圖形為圓形腔體圖形。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于北京遙測技術研究所;航天長征火箭技術有限公司，未經北京遙測技術研究所;航天長征火箭技術有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410215910.1/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
