[發明專利]基于差分結構有源電感的低噪聲放大器

在審

• 申請號: 201410215815.1
• 申請日: 2014-05-20
• 公開（公告）號: CN103973233A
• 公開（公告）日: 2014-08-06
• 發明（設計）人: 李琛
• 申請（專利權）人: 上海集成電路研發中心有限公司
• 主分類號: H03F1/26
• 分類號: H03F1/26;H03F3/45
• 代理公司: 上海天辰知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31275
• 代理人: 吳世華;陳慧弘

1.一種基于差分結構有源電感的低噪聲放大器，其特征在于，包括：

輸入端，用于接收輸入信號；

有源電感，其包括：

由第一晶體管（M2）和第二晶體管（M3）構成的差分輸入對，所述第一晶體管（M2）的柵極連接所述輸入端，所述第二晶體管（M3）的柵極連接第一偏置電壓；

具有至少一第一共源晶體管（M4）的尾電流源，用于向所述差分輸入對提供尾電流，該第一共源晶體管（M4）的漏極與所述差分輸入對的源極相連；

具有至少一第二共源晶體管（M7）的放大級，該第二共源晶體管（M7）的漏極與所述第一晶體管（M2）的柵極相連，源極接地；以及

可變電阻（R1），連接于所述差分輸入對的漏極和所述第二共源晶體管（M7）的柵極之間；

輸出端，與所述差分輸入對的漏極相連；

第一負載（M1），連接于所述輸出端與電源（VDD）之間；以及

第二負載（M5），連接于所述輸入端和電源（VDD）之間。

2.根據權利要求1所述的低噪聲放大器，其特征在于，還包括：

第一電流源（I1），其輸入端與電源（VDD）相連，所述尾電流源為所述第一電流源（I1）的鏡像電流源；

第三晶體管（M9），其漏極與所述第一電流源（I1）的輸出端相連，所述第一共源晶體管（M4）與所述第三晶體管（M9）構成第一電流鏡以將所述第一電流源（I1）的電流鏡像至所述差分輸入對的源極。

3.根據權利要求2所述的低噪聲放大器，其特征在于，所述第二負載（M5）為負載晶體管，其源極接電源（VDD），漏極與所述第二共源晶體管（M7）的漏極相連，所述第一電流源（I1）向所述負載晶體管（M5）提供電流。

4.根據權利要求3所述的低噪聲放大器，其特征在于，還包括：

第四晶體管（M8），其與所述第三晶體管（M9）構成第二電流鏡；

第五晶體管（M6），其漏極與所述第四晶體管（M8）的漏極相連，源極與電源（VDD）相連，柵極與所述負載晶體管（M5）的柵極共同連接第二偏置電壓。

5.根據權利要求4所述的低噪聲放大器，其特征在于，所述第一負載（M1）為有源負載或無源負載。

6.根據權利要求5所述的有源電感，其特征在于，所述第一負載（M1）為負載晶體管，其源極接電源（VDD），漏極與所述差分輸入對的漏極相連，柵極與所述第五晶體管（M6）的柵極相連。

7.根據權利要求1所述的低噪聲放大器，其特征在于，所述尾電流源還包括與所述第一共源晶體管構成共源共柵結構的第一共柵晶體管。

8.根據權利要求1所述的低噪聲放大器，其特征在于，所述放大級還包括與所述第二共源晶體管構成共源共柵結構的第二共柵晶體管。

9.根據權利要求2所述的低噪聲放大器，其特征在于，所述第三晶體管（M9）的漏極通過電阻（R2）與所述第一電流源（I1）的輸出端相連。