[發(fā)明專(zhuān)利]PMOS源漏區(qū)離子注入方法、PMOS的制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410215785.4
• 申請(qǐng)日: 2014-05-20
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103972108B
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-06-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 邱裕明
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 上海華力集成電路制造有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/336
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/336;H01L21/265
• 代理公司: 上海天辰知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 31275
• 代理人: 吳世華;林彥之

1.一種PMOS源漏區(qū)離子注入方法，其特征在于，包括：首先，對(duì)半導(dǎo)體襯底中的源漏區(qū)進(jìn)行硼注入；然后，對(duì)所述源漏區(qū)進(jìn)行氟注入；所述硼注入采用的氣體為不含氟的氣體；硼注入的劑量為2*E15-3*E15且不包含2*E15；所述硼注入時(shí)采用的溫度10-20℃，壓強(qiáng)不大于5*E-5托，氣體流量為0.5-1.5sccm；所述氟注入時(shí)采用的溫度10-20℃，壓強(qiáng)不大于5*E-5托，氣體流量為0.5-1.5sccm。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離子注入方法，其特征在于，所述氟注入的劑量為1*E15-3*E15。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離子注入方法，其特征在于，所述硼注入采用的氣體為B₁₀H₂₂、C₂B₁₀H₁₂的一種或多種。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離子注入方法，其特征在于，所述氟注入采用的氣體為BF₃、GeF₄的一種或多種。

5.一種PMOS器件的制備方法，其特征在于，包括：采用權(quán)利要求1-4任意一項(xiàng)所述的離子注入方法來(lái)進(jìn)行源漏區(qū)離子注入。