[發明專利]制造具有厚度降低的p-摻雜CdTe層的太陽能電池的方法

有效

• 申請號: 201410215748.3
• 申請日: 2014-05-20
• 公開（公告）號: CN104851938B
• 公開（公告）日: 2019-12-31
• 發明（設計）人: 克里什納庫馬·維拉潘;彭壽
• 申請（專利權）人: 中國建材國際工程集團有限公司;CTF太陽能有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0264
• 代理公司: 31219 上海光華專利事務所(普通合伙)
• 代理人: 余明偉

1.一種制造太陽能電池的方法，其包括以下步驟：

a)在基極層上施用具有大晶粒的第一CdTe層，

b)在所述第一CdTe層上施用包含摻雜元素的犧牲性摻雜層，和

c)在所述犧牲性摻雜層上施用具有小晶粒的第二CdTe層；

其中所述犧牲性摻雜層在步驟c)和/或步驟c)之后的其他步驟中溶解及分解。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于所述犧牲性摻雜層包含銅、磷、銻、鉍、鉬或錳中的一種作為所述摻雜元素。

3.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于所述摻雜元素被作為元素層提供。

4.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于以不同摻雜元素的組合物或以復合物提供所述摻雜元素。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于所述復合物包含鹵素。

6.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于通過濺射方法或通過使用含有所述摻雜元素的液體溶液的方法，施用所述犧牲性摻雜層。

7.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于以在2nm至15nm范圍內的厚度施用所述犧牲性摻雜層。

8.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于在室溫至350℃范圍內的基底溫度下施用所述犧牲性摻雜層。

9.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于在490℃至540℃范圍內的基底溫度下，以在0.5μm至6μm范圍內的厚度，沉積所述第一CdTe層。

10.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于在200℃至350℃范圍內的基底溫度下，以由所述第一CdTe層和所述第二CdTe層組成的CdTe層的總體層厚度的20％至40％的厚度，沉積所述第二CdTe層。

11.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于所述方法還包括在步驟c)之后在300℃至550℃范圍內的溫度下實施的溫度處理步驟。

12.根據權利要求11所述的方法，其特征在于在所述溫度處理步驟期間，將含有鹵素的材料設置在所述第二CdTe層的表面上。

13.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于所述方法還包括以下步驟：

d)提供透明基底，

e)施用透明前接觸層，

f)施用CdS層，和

g)施用背接觸層，

其中所述步驟d)、e)和f)按此順序在實施所述步驟a)、b)和c)之前進行實施，和所述步驟g)在實施所述步驟a)、b)和c)之后進行實施，且其中包括所述透明基底、所述透明前接觸層和所述CdS層的層堆疊為所述基極層。

14.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于所述方法還包括以下步驟：

h)提供基底，

i)施用背接觸層，

j)施用CdS層，和

k)施用透明前接觸層，

其中所述步驟h)和i)按此順序在實施所述步驟a)、b)和c)之前進行實施，和所述步驟j)和k)在實施所述步驟a)、b)和c)之后進行實施，且其中包括所述基底和所述背接觸的層堆疊為所述基極層。

15.根據權利要求9所述的方法，其特征在于在490℃至540℃范圍內的基底溫度下，以在1μm至1.8μm范圍內的厚度，沉積所述第一CdTe層。

16.根據權利要求11所述的方法，其特征在于所述方法還包括在步驟c)之后在300℃至450℃范圍內的溫度下實施的溫度處理步驟。