[發明專利]一種氮化物發光二極管組件的制備方法有效
| 申請號： | 201410215285.0 | 申請日： | 2014-05-21 |
| 公開（公告）號： | CN103996755A | 公開（公告）日： | 2014-08-20 |
| 發明（設計）人： | 董木森;申利瑩;王篤祥;王良均;劉曉峰 | 申請（專利權）人： | 天津三安光電有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 300384 天津市*** | 國省代碼： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 氮化物 發光二極管 組件 制備 方法 | ||
1.一種氮化物發光二極管組件的制備方法，其特征在于：包括如下步驟：
（1）提供一過渡襯底；
（2）在所述過渡襯底上依次生長P型半導體層和第一鍵合層；
（3）提供一永久襯底；
（4）在所述永久襯底上依次生長N型半導體層、發光層和第二鍵合層；
（5）將生長有P型半導體層的過渡襯底以及生長有N型半導體層、發光層的永久襯底，通過第一鍵合層和第二鍵合層進行鍵合。
2.根據權利要求1所述的氮化物發光二極管組件的制備方法，其特征在于：所述第一鍵合層/第二鍵合層材料為Al1-x-yGa?xInyN層，其中0≦x＜1，0≦y＜1。
3.根據權利要求1所述的氮化物發光二極管組件的制備方法，其特征在于：所述鍵合方式選用直接鍵合或介質鍵合或其組合。
4.根據權利要求1所述的氮化物發光二極管組件的制備方法，其特征在于：所述直接鍵合為熱鍵合或低溫真空鍵合。
5.根據權利要求1所述的氮化物發光二極管組件的制備方法，其特征在于：將所述第一鍵合層和第二鍵合層進行鍵合后，去除過渡襯底。
6.根據權利要求5所述的氮化物發光二極管組件的制備方法，其特征在于：還包括去除過渡襯底后，再通過蝕刻工藝暴露出部分N型半導體層，分別在P型半導體層和裸露的N型半導體層上制作P電極和N電極。
7.根據權利要求1所述的氮化物發光二極管組件的制備方法，其特征在于：所述過渡襯底/永久襯底選用氧化鋁單晶（Sapphire）或SiC（6H-SiC或4H-SiC）或Si或GaAs?或GaN或其組合。
8.根據權利要求1所述的氮化物發光二極管組件的制備方法，其特征在于：所述P型半導體層包括P型接觸層、P型層和電子阻擋層。
9.根據權利要求1所述的氮化物發光二極管組件的制備方法，其特征在于：在所述過渡襯底和P型半導體層之間包括透明導電層。
10.根據權利要求1所述的氮化物發光二極管組件的制備方法，其特征在于：在所述永久襯底和N型半導體層之間包括緩沖層。
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