[發明專利]一種高導電性的鏈狀光電納米橋的制備方法

有效

• 申請號: 201410215277.6
• 申請日: 2014-05-21
• 公開（公告）號: CN103950891A
• 公開（公告）日: 2014-07-30
• 發明（設計）人: 徐麗廣;胥傳來;匡華;馬偉;劉麗強;宋珊珊;吳曉玲
• 申請（專利權）人: 江南大學
• 主分類號: B82B3/00
• 分類號: B82B3/00;B82Y40/00
• 代理公司: 無錫市大為專利商標事務所(普通合伙) 32104
• 代理人: 時旭丹;劉品超

1.一種高導電性的鏈狀光電納米橋的制備方法，其特征是步驟為：

（1）金納米棒端面區域功能化：

a、金納米棒-寡脫氧核糖核酸1，即AuNR-DNA1的制備：利用晶種生長法合成的金納米棒10μL，加入5μL的1mM的巰基修飾的DNA1，振搖反應8h，7500r/min離心15min，棄上清，水洗一次，用10μL的0.005M的十六烷基三甲基溴化銨溶液分散AuNR-DNA1復合物，4℃保藏、待用；

b、金納米棒-寡脫氧核糖核酸2?，即AuNR-DNA2的制備：利用晶種生長法合成的金納米棒10μL，加入5μL的1mM的巰基修飾的DNA?2，振搖反應8h，7500r/min離心15min，棄上清，水洗一次，用10μL的0.005M的十六烷基三甲基溴化銨溶液分散AuNR-DNA2復合物，4℃保藏、待用；

（2）金納米鏈的制備：取5μL步驟（1）制備的AuNR-DNA1和5μL制備的AuNR-DNA2進行混勻，室溫孵育12h后，借助寡核苷酸DNA1和DNA2分別區域功能化的金納米棒的特異性的仿生識別形成金納米鏈的組裝超結構，制得金納米鏈溶液；

（3）納米鏈的光電納米橋的制備：在預先通過經典的光蝕刻技術制備得到的以硅為基底，以兩條薄的金條為正負電極，中間為凹槽的基質材料中，將步驟（2）制備的金納米鏈溶液滴加入該凹槽中，其中的較長的納米鏈結構就自發地連接在邊緣兩條金條上面，形成納米鏈的光電納米橋，通過控制正負電極的通路，緩沖介質的反應條件進而控制金條上形成單一的納米鏈的光電納米橋，實現納米鏈的光電納米橋的制備。

2.根據權利要求1所述高導電性的鏈狀光電納米橋的制備方法，其特征在于：步驟（1）中DNA1的序列為5’-SH-AAAAAAAACC?CCCCCC-?3’，DNA2的序列為5’-SH-GGGGGGGGTT?TTTTTT-3’。

3.根據權利要求1所述高導電性的鏈狀光電納米橋的制備方法，其特征在于對步驟（2）及步驟（3）所得產品納米鏈及光電納米橋結構的表征及性能的探測如下：

采用加速電壓為200?keV的掃描電鏡、X射線能譜儀、激光動態光散射儀對金納米棒自組裝構建的納米鏈進行表征，通過上述表征手段可知該種金納米鏈成功構建；

采用場發射的掃描電子顯微鏡、X射線能譜儀、紫外可見光譜儀及原子力電子顯微鏡儀器對制備的光電納米橋結構進行表征；

采用在相鄰的兩條金條上面加入40V的電壓值，通過測定兩條金條之間的電流值的變化，測定光電納米橋的導電性能，通過測定結果可知，其導電性能優異。