[發(fā)明專利]一種微波等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410214496.2 | 申請日: | 2014-05-20 |
| 公開(公告)號: | CN104726850B | 公開(公告)日: | 2017-08-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 朱雨;王海俠 | 申請(專利權(quán))人: | 朱雨 |
| 主分類號: | C23C16/517 | 分類號: | C23C16/517;C23C16/513;C23C16/511 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11205 | 代理人: | 劉芳 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 微波 等離子體 化學(xué) 沉積 設(shè)備 | ||
1.一種微波等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備,其特征在于,包括微波源,第一波導(dǎo)管,微波模式轉(zhuǎn)換器和諧振裝置,
所述第一波導(dǎo)管的一端與所述微波源連接,另一端與所述微波模式轉(zhuǎn)換器連接;
所述諧振裝置包括一諧振腔和微波聚集單元,所述諧振腔的頂部設(shè)有介質(zhì)窗口,所述微波模式轉(zhuǎn)換器位于所述介質(zhì)窗口的上部并且能夠?qū)碜运鑫⒉ㄔ吹奈⒉ㄟM行模式轉(zhuǎn)換并經(jīng)所述介質(zhì)窗口傳送至所述諧振腔,在所述諧振腔的內(nèi)部設(shè)有基座,在所述基座上承載有基片,且所述基座的設(shè)置能夠使其上承載的所述基片位于所述介質(zhì)窗口的下方,所述微波聚集單元設(shè)于所述諧振腔上并能夠?qū)魉椭了鲋C振腔的微波聚集于所述基片上,
所述微波聚集單元為設(shè)于所述諧振腔側(cè)壁上的傾斜部,所述諧振腔由金屬材料制成,所述傾斜部由金屬材料制成,并且所述傾斜部的垂直線相交于所述基片上,
在所述諧振腔內(nèi),環(huán)繞所述基座設(shè)有凸臺,且所述凸臺與所述基座之間相對設(shè)有能夠上下移動的金屬部件,所述凸臺為環(huán)設(shè)在所述基座外部的環(huán)形凸臺,所述金屬部件為設(shè)置在所述凸臺與所述基座之間環(huán)形金屬塊,并且所述環(huán)形金屬塊的內(nèi)面與所述基座的側(cè)面接觸,外面與所述環(huán)形凸臺的內(nèi)面接觸,
在所述諧振腔的內(nèi)部還設(shè)有等離子體約束單元,其由透光材料制成,并且設(shè)置在所述基片的外部,所述等離子體約束單元的底部設(shè)置在所述凸臺上,并且所述等離子體約束單元的設(shè)置能夠使其內(nèi)部形成真空。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微波等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備,其特征在于,所述透光材料為石英或藍(lán)寶石。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的微波等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備,其特征在于,所述微波模式轉(zhuǎn)換器包括適配器、第二波導(dǎo)管和模式轉(zhuǎn)換天線,
所述適配器分別與所述第一波導(dǎo)管和第二波導(dǎo)管連接;
所述第二波導(dǎo)管與所述諧振腔連接并且相對所述第一波導(dǎo)管垂直設(shè)置;
所述模式轉(zhuǎn)換天線設(shè)置在所述第二波導(dǎo)管內(nèi),并且其一端伸入所述適配器中,另一端伸入所述諧振裝置中。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的微波等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備,其特征在于,所述諧振裝置還包括位于所述介質(zhì)窗口上部的耦合轉(zhuǎn)換腔,所述耦合轉(zhuǎn)換腔與所述第二波導(dǎo)管連通,所述模式轉(zhuǎn)換天線伸入所述耦合轉(zhuǎn)換腔內(nèi),所述耦合轉(zhuǎn)換腔能夠?qū)碜运鑫⒉ㄔ吹奈⒉ń?jīng)所述介質(zhì)窗口傳送至所述諧振腔。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的微波等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備,其特征在于,在所述第一波導(dǎo)管和所述適配器之間設(shè)置有柔性波導(dǎo)管。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的微波等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備,其特征在于,還包括調(diào)配器,其與所述第一波導(dǎo)管連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的微波等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備,其特征在于,還包括調(diào)配器,其與所述第一波導(dǎo)管連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的微波等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備,其特征在于,還包括調(diào)配器,其與所述第一波導(dǎo)管連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的微波等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備,其特征在于,還包括調(diào)配器,其與所述第一波導(dǎo)管連接。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





