[發(fā)明專利]薄膜晶體管、陣列基板及相應的制作方法、顯示裝置

有效

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• 申請日: 2014-05-20
• 公開（公告）號: CN104022156B
• 公開（公告）日: 2017-02-15
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李東升;陳寧;劉興東;郭煒
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L29/417
• 分類號: H01L29/417;H01L29/423;H01L21/336;H01L29/786
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司11274
• 代理人: 申健

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種薄膜晶體管、陣列基板及相應的制作方法、顯示裝置。

背景技術(shù)

液晶顯示器是一種平面超薄的顯示裝置，近年來，液晶顯示器得到廣泛發(fā)展，隨之而來的是，對液晶顯示器的性能提出越來越高的要求。其中，液晶顯示器的主要性能指標為分辨率和開口率，而提高分辨率和開口率的主要方法為減小液晶顯示器的不透光區(qū)域的尺寸。

具體地，液晶顯示器主要包括陣列基板和彩膜基板，陣列基板包括襯底基板以及設(shè)置在襯底基板上的薄膜晶體管、柵線、數(shù)據(jù)線和像素電極等結(jié)構(gòu)，彩膜基板包括黑矩陣和彩色濾色層等結(jié)構(gòu)。其中，陣列基板上的薄膜晶體管、柵線、數(shù)據(jù)線以及彩膜基板上的黑矩陣所在區(qū)域為不透光區(qū)域。由于黑矩陣主要用于遮蔽薄膜晶體管、柵線和數(shù)據(jù)線等結(jié)構(gòu)，其所在區(qū)域應與薄膜晶體管、柵線、數(shù)據(jù)線所在區(qū)域重疊，因此，薄膜晶體管、柵線、數(shù)據(jù)線的尺寸在很大程度上決定了液晶顯示器的開口率和分辨率。

發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，現(xiàn)有技術(shù)中薄膜晶體管平行于襯底基板方向的尺寸較大，使得液晶顯示器的不透光區(qū)域的尺寸較大，不利于提高液晶顯示器的分辨率和開口率。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于提供一種薄膜晶體管、陣列基板及相應的制作方法、顯示裝置，能夠有效減小薄膜晶體管平行于襯底基板的方向的尺寸。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明實施例提供了一種薄膜晶體管，采用如下技術(shù)方案：

一種薄膜晶體管，包括襯底基板，還包括傾斜設(shè)置于所述襯底基板上的傾斜部分。

所述傾斜部分包括第一傾斜單元和第二傾斜單元，所述薄膜晶體管還包括平行于所述襯底基板設(shè)置的水平部分，所述水平部分的一端連接所述第一傾斜單元，所述水平部分的另一端連接所述第二傾斜單元，所述第一傾斜單元和所述第二傾斜單元向遠離所述水平部分和所述襯底基板的方向傾斜。

所述薄膜晶體管還包括依次設(shè)置于所述襯底基板上的柵極、柵極絕緣層、有源層、源極和漏極；

其中，所述有源層包括位于所述水平部分的有源層第一部分以及自所述有源層第一部分兩端延伸出的分別位于所述第一傾斜單元和所述第二傾斜單元的有源層第二部分和有源層第三部分，所述源極連接所述有源層第二部分，所述漏極連接所述有源層第三部分；

所述源極包括位于所述第一傾斜單元的源極第一部分和自所述源極第一部分延伸出的平行于所述襯底基板的源極第二部分；

所述漏極包括位于所述第二傾斜單元的漏極第一部分和自所述漏極第一部分延伸出的平行于所述襯底基板的漏極第二部分。

所述柵極僅包括平行于所述襯底基板的柵極第一部分，所述有源層在所述襯底基板上的垂直投影完全落在所述柵極第一部分所在區(qū)域內(nèi)。

所述薄膜晶體管還包括位于所述柵極上的導電的柵極擴展層，所述柵極擴展層包括位于所述水平部分的柵極擴展層第一部分以及自所述柵極擴展層第一部分兩端延伸出的分別位于所述第一傾斜單元和所述第二傾斜單元的柵極擴展層第二部分和柵極擴展層第三部分。

所述柵極包括位于所述水平部分的柵極第一部分以及自所述柵極第一部分兩端延伸出的分別位于所述第一傾斜單元和所述第二傾斜單元的柵極第二部分和柵極第三部分。

本發(fā)明實施例提供了一種薄膜晶體管，該薄膜晶體管包括襯底基板以及傾斜設(shè)置于襯底基板上傾斜部分，從而有效減小了薄膜晶體管在平行于襯底基板方向的尺寸，減小了液晶顯示器的不透光區(qū)域的尺寸，有助于提高液晶顯示器的分辨率和開口率。

為了進一步解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明實施例還提供了一種陣列基板，采用如下技術(shù)方案：

一種陣列基板包括以上任一項所述的薄膜晶體管。

所述陣列基板還包括第一絕緣層，所述第一絕緣層上設(shè)置有開口，所述開口的頂部尺寸大于所述開口的底部尺寸，所述薄膜晶體管的所述柵極、所述柵極絕緣層、所述有源層、所述源極第一部分和所述漏極第一部分位于所述開口內(nèi)，所述源極第二部分和所述漏極第二部分位于所述開口外。

所述陣列基板還包括位于所述有源層、所述源極和所述漏極上的第二絕緣層，所述第二絕緣層為硅的氧化物或者硅的氮化物，所述第二絕緣層上設(shè)置有對應于所述漏極的過孔。

所述陣列基板還包括位于所述有源層、所述源極、所述漏極與所述第二絕緣層之間的第三絕緣層，所述第三絕緣層為絕緣樹脂。

本發(fā)明實施例提供了一種陣列基板，該陣列基板上設(shè)置有薄膜晶體管，薄膜晶體管包括襯底基板以及傾斜設(shè)置于襯底基板上的傾斜部分，從而有效減小了薄膜晶體管在平行于襯底基板方向的尺寸，進而有效減小了陣列基板上不透光區(qū)域的尺寸，有助于提高液晶顯示器的分辨率和開口率。