[發明專利]管芯頂部層離的消除在審
| 申請號: | 201410213206.2 | 申請日: | 2014-05-20 |
| 公開(公告)號: | CN104183544A | 公開(公告)日: | 2014-12-03 |
| 發明(設計)人: | 曾瑞源;H.克爾納;梁光揚;王梅容 | 申請(專利權)人: | 英飛凌科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/768 | 分類號: | H01L21/768;H01L21/71 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 申屠偉進;徐紅燕 |
| 地址: | 德國瑙伊比*** | 國省代碼: | 德國;DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 管芯 頂部 消除 | ||
1.一種集成電路模塊,包括:
集成電路器件,其具有第一表面和布置在第一表面上的多個接合焊盤;
金屬接合線或金屬帶,其附接在相應的第一子集的接合焊盤之一與封裝襯底或引線框之一之間,使得第二子集的接合焊盤不附接于封裝襯底或引線框;
金屬柱形凸起,其附于一個或多個第二子集的接合焊盤中的每一個;以及
模塑化合物,其接觸第一表面并大體上包圍接合線或帶狀線以及金屬柱形凸起。
2.根據權利要求1所述的集成電路模塊,其中一個或多個金屬柱形凸起包括釘頭接合,釘頭接合附于第二子集的接合焊盤中對應的一個。
3.根據權利要求2所述的集成電路模塊,其中一個或多個金屬柱形凸起進一步包括緊鄰釘頭接合被切斷的線段。
4.根據權利要求1所述的集成電路模塊,其中金屬柱形凸起包括金屬接合線,金屬接合線附于第二子集的接合焊盤中的兩個中的每一個。
5.根據權利要求1所述的集成電路模塊,其中第二子集的接合焊盤中的每一個的暴露表面包括貴金屬,并且其中金屬柱形凸起大體上由銅或鋁組成。
6.根據權利要求1所述的集成電路模塊,其中第二子集的接合焊盤由不被集成電路器件電使用的接合焊盤組成。
7.根據權利要求1所述的集成電路模塊,其中第二子集的接合焊盤包括集成電路器件上除了第一子集的接合焊盤之外的所有接合焊盤,并且其中金屬柱形凸起附于第二子集的接合焊盤中的每一個。
8.根據權利要求1所述的集成電路模塊,其中第二子集的接合焊盤包括集成電路器件上除了第一子集的接合焊盤之外的所有接合焊盤,并且其中金屬柱形凸起附于第二子集的接合焊盤中間隔的接合焊盤。
9.一種用于制造集成電路模塊的方法,所述方法包括:
提供具有第一表面和布置在第一表面上的多個接合焊盤的集成電路器件;
將金屬接合線或金屬帶附接在相應的第一子集的接合焊盤之一與封裝襯底或引線框之一之間,使得第二子集的接合焊盤不附接于封裝襯底或引線框;
將金屬柱形凸起附于一個或多個第二子集的接合焊盤中的每一個;以及
將模塑化合物布置在集成電路器件上,使得所述模塑化合物接觸第一表面并大體上包圍接合線或帶狀線以及金屬柱形凸起。
10.根據權利要求9所述的集成電路模塊,其中將金屬柱形凸起附于一個或多個第二子集的接合焊盤中的每一個包括將釘頭接合附于第二子集的接合焊盤中對應的一個。
11.根據權利要求10所述的集成電路模塊,其中將金屬柱形凸起附于一個或多個第二子集的接合焊盤中的每一個進一步包括緊鄰釘頭接合切斷從釘頭接合延伸的線段。
12.根據權利要求9所述的集成電路模塊,其中將金屬柱形凸起附于一個或多個第二子集的接合焊盤中的每一個包括將金屬接合線附于第二子集的接合焊盤中的兩個中的每一個。
13.根據權利要求9所述的集成電路模塊,其中第二子集的接合焊盤中的每一個的暴露表面包括貴金屬,并且其中金屬柱形凸起大體上由銅或鋁組成。
14.根據權利要求9所述的集成電路模塊,其中第二子集的接合焊盤由不被集成電路器件電使用的接合焊盤組成。
15.根據權利要求9所述的集成電路模塊,其中第二子集的接合焊盤包括集成電路器件上除了第一子集的接合焊盤之外的所有接合焊盤,并且其中將金屬柱形凸起附于一個或多個第二子集的接合焊盤中的每一個包括將金屬柱形凸起附于第二子集的接合焊盤中的每一個。
16.根據權利要求9所述的集成電路模塊,其中第二子集的接合焊盤包括集成電路器件上除了第一子集的接合焊盤之外的所有接合焊盤,并且其中將金屬柱形凸起附于一個或多個第二子集的接合焊盤中的每一個包括將金屬柱形凸起附于第二子集的接合焊盤中間隔的接合焊盤。
17.根據權利要求9所述的集成電路模塊,其中第二子集的接合焊盤包括集成電路器件上除了第一子集的接合焊盤之外的所有接合焊盤,并且其中將金屬柱形凸起附于一個或多個第二子集的接合焊盤中的每一個包括將金屬柱形凸起附于第二子集的接合焊盤中隨機選擇的接合焊盤。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





