[發明專利]一種超高速脈沖晶閘管及其制造方法

在審

• 申請號: 201410213047.6
• 申請日: 2014-05-20
• 公開（公告）號: CN105097908A
• 公開（公告）日: 2015-11-25
• 發明（設計）人: 張橋;劉小俐;顏家圣;周霖;肖彥;劉鵬
• 申請（專利權）人: 湖北臺基半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L29/74
• 分類號: H01L29/74;H01L29/06;H01L21/332
• 代理公司: 襄陽嘉琛知識產權事務所 42217
• 代理人: 嚴崇姚

1.一種超高速脈沖晶閘管，由下封接件（1）、下鉬片（2）、硅片（3）、上鉬片（4）、上封接件（5）、門極組件（6）封裝而成；該硅片（3）包括陽極區（41）、長基區（43）、短基區（44）和陰極區（45）四層結構，以及陽極（A）、陰極（K）和門極（G）三個端子；其特征在于：在所述的陽極區（41）與長基區（43）之間增加N緩沖層區（42），使硅片為P⁺NN-PN⁺五層三端結構；所述的陽極區（41）為透明陽極區；所述的陰極（K）為多元胞并聯陰極結構，元胞間的短基區（44）表面設有鈍化層；所述的門極（G）為深槽結構。

2.根據權利要求1所述的一種超高速脈沖晶閘管,其特征在于：所述的多元胞并聯陰極結構采用多層環形均勻排布，元胞長寬比為10~30:1。

3.根據權利要求1或2所述的一種超高速脈沖晶閘管,其特征在于：所述的N緩沖層區（42）的摻雜濃度在1×10¹⁶/cm³~1×10¹⁸/cm³之間，結深為18~40μm。

4.根據權利要求1或2所述的一種超高速脈沖晶閘管,其特征在于：所述的透明陽極區濃度在1×10¹⁸/cm³~1×10²⁰/cm³之間，結深為8~30μm。

5.根據權利要求1或2所述的一種超高速脈沖晶閘管,其特征在于：所述的陰極區（45）表面濃度在1×10¹⁹/cm³~1×10²¹/cm³之間，結深18~30μm。

6.根據權利要求1或2所述的一種超高速脈沖晶閘管,其特征在于：所述的門極（G）的槽深為18∽35μm,陰極區（45）和短基區（44）之間的PN結表面有200~300nm厚的氧化層或/和聚酰亞胺鈍化層。

7.根據權利要求1或2所述的一種超高速脈沖晶閘管,其特征在于：所述的短基區（44）的表面雜質濃度為1×10¹⁷/cm³~8×10¹⁹/cm³，結深80~140μm。