[發(fā)明專利]桶式爐和半導(dǎo)體制造方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410211465.1 | 申請日: | 2014-05-19 |
| 公開(公告)號: | CN103985657A | 公開(公告)日: | 2014-08-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 蘇建培;張健;丁海東 | 申請(專利權(quán))人: | 上海先進(jìn)半導(dǎo)體制造股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司: | 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 鄭瑋 |
| 地址: | 200233 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 桶式爐 半導(dǎo)體 制造 方法 | ||
1.一種桶式爐,適用于外延工藝,其特征在于,包括:腔體、設(shè)置于腔體內(nèi)的基座、設(shè)置于所述基座上并與所述腔體連接的吊桿;其中,
所述吊桿的長度為300mm~350mm,并且其上設(shè)置有可拆卸的墊片。
2.如權(quán)利要求1所述的桶式爐,其特征在于,所述吊桿為中空的桿體,所述桿體內(nèi)設(shè)置有溫度測量裝置。
3.如權(quán)利要求2所述的桶式爐,其特征在于,所述吊桿包括第一吊桿、及與所述第一吊桿連接的第二吊桿。
4.如權(quán)利要求3所述的桶式爐,其特征在于,所述第二吊桿的內(nèi)徑等于所述第一吊桿的內(nèi)徑;所述第二吊桿的外徑大于所述第一吊桿的外徑。
5.如權(quán)利要求4所述的桶式爐,其特征在于,所述第二吊桿的內(nèi)徑為42mm~46mm;所述第二吊桿的外徑為54~56mm。
6.如權(quán)利要求5所述的桶式爐,其特征在于,所述吊桿上固定有卡環(huán)。
7.如權(quán)利要求6所述的桶式爐,其特征在于,所述卡環(huán)的外徑尺寸為76mm~79mm。
8.如權(quán)利要求7所述的桶式爐,其特征在于,所述墊片的形狀為環(huán)形,并且所述墊片的內(nèi)徑尺寸大于等于所述第二吊桿的外徑尺寸,并小于所述卡環(huán)的外徑尺寸;其中,所述墊片的外徑尺寸為78mm~114mm。
9.如權(quán)利要求8所述的桶式爐,其特征在于,所述墊片的厚度為10mm~15mm。
10.如權(quán)利要求1-9中任一項所述的桶式爐,其特征在于,所述腔體、吊桿及墊片的材質(zhì)均為石英。
11.如權(quán)利要求1-9中任一項所述的桶式爐,其特征在于,所述基座為中空的正棱臺。
12.如權(quán)利要求1-9中任一項所述的桶式爐,其特征在于,所述基座上設(shè)置有承載襯底的承載區(qū);所述承載區(qū)包括沿豎直方向依次劃分的上區(qū)、中區(qū)、及下區(qū)。
13.一種半導(dǎo)體制造方法,其特征在于,包括步驟:
提供如上所述的桶式爐、測試樣品及襯底;
對測試樣品進(jìn)行外延工藝,在所述測試樣品表面形成外延層;
對測試樣品的外延層進(jìn)行電阻率及厚度的測試;
根據(jù)所述外延層的電阻率及厚度的分布情況,估計基座沿豎直方向需要移動的距離;
根據(jù)所估計的距離調(diào)整吊桿上墊片的數(shù)量;
將調(diào)整過墊片數(shù)量的吊桿與所述基座組裝;
在基座上放置所述襯底,對所述襯底進(jìn)行外延工藝。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





