[發明專利]面板結構及其制造方法

有效

• 申請號: 201410211082.4
• 申請日: 2014-05-19
• 公開（公告）號: CN104009065A
• 公開（公告）日: 2014-08-27
• 發明（設計）人: 謝坤龍;許慈軒;柯聰盈
• 申請（專利權）人: 友達光電股份有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 梁揮;鮑俊萍

1.一種面板結構，其特征在于，包括：

一軟性基板；

一顆粒復合碳膜離型層，位于該軟性基板的第一表面上，該顆粒復合碳膜離型層包括多個顆粒，且每一顆粒的表面具有一碳膜；以及

一元件層，位于該軟性基板的第二表面上，其中該第二表面相對于該第一表面。

2.根據權利要求1所述的面板結構，其特征在于，更包括一支撐基板，該顆粒復合碳膜離型層位于該支撐基板與該軟性基板之間。

3.根據權利要求2所述的面板結構，其特征在于，該軟性基板覆蓋該顆粒復合碳膜離型層的一上表面以及一側表面且在該支撐基板的一邊緣區域與該支撐基板接觸。

4.根據權利要求1所述的面板結構，其特征在于，該顆粒復合碳膜離型層的厚度為50nm～500nm。

5.根據權利要求1所述的面板結構，其特征在于，該些顆粒的材質為無機材料。

6.根據權利要求5所述的面板結構，其特征在于，該些顆粒包括氧化鈦顆粒、氧化硅顆粒或氧化鋁顆粒。

7.根據權利要求1所述的面板結構，其特征在于，該些顆粒的尺寸為大于0納米，且小于100納米。

8.根據權利要求1所述的面板結構，其特征在于，該顆粒復合碳膜離型層的碳原子的重量百分比為5％～30％。

9.根據權利要求1所述的面板結構，其特征在于，該些顆粒的材質包括金屬、合金、半導體、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬氮氧化物、合金氧化物、合金氮化物、合金氮氧化物、半導體氧化物、半導體氮化物、半導體氮氧化物或上述材質至少兩種的組合。

10.根據權利要求9所述的面板結構，其特征在于，該些顆粒包括氧化鋅顆粒、氧化銦錫顆粒、金顆粒、銀顆粒、鉑顆粒或其它導電性顆粒。

11.根據權利要求1所述的面板結構，其特征在于，更包含一薄膜晶體管、一彩色濾光片、一黑色矩陣、一有機發光元件、一光電轉換元件或前述元件至少兩種的組合。

12.一種面板結構的制造方法，其特征在于，包括：

在一支撐基板上涂布一材料層，該材料層中包括多個顆粒以及碳氫氧化合物；

進行一燒結程序，以使些該些顆粒表面的碳氫氧化合物產生碳化，而形成一顆粒復合碳膜離型層；

在該顆粒復合碳膜離型層上形成一軟性基板；

在該軟性基板上形成一元件層；以及

進行一離型程序，以使得該軟性基板與該支撐基板分離。

13.根據權利要求12所述的面板結構的制造方法，其特征在于，該材料層中包括一溶劑、分散于該溶劑內的該些顆粒以及該碳氫氧化合物。

14.根據權利要求13所述的面板結構的制造方法，其特征在于，該些顆粒占該材料層的重量百分比為0.1％～10％，且該碳氫氧化合物占該材料層的重量百分比為0.1％～15％。

15.根據權利要求12所述的面板結構的制造方法，其特征在于，該燒結程序的溫度為300℃～500℃。

16.根據權利要求12所述的面板結構的制造方法，其特征在于，該軟性基板覆蓋該顆粒復合碳膜離型層的一上表面以及一側表面且在該支撐基板的一邊緣區域與該支撐基板接觸，且該離型程序包括進行一切割程序，以移除位于該邊緣區域的該軟性基板，進而使得該軟性基板與該支撐基板分離。

17.根據權利要求12所述的面板結構的制造方法，其特征在于，該顆粒復合碳膜離型層的厚度為50nm～500nm。

18.根據權利要求12所述的面板結構的制造方法，其特征在于，該些顆粒的尺寸大于0納米，且小于100納米。

19.根據權利要求12所述的面板結構的制造方法，其特征在于，該些顆粒的材質包括無機材料、金屬、合金、半導體、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬氮氧化物、合金氧化物、合金氮化物、合金氮氧化物、半導體氧化物、半導體氮化物、半導體氮氧化物或上述材質至少兩種的組合。

20.根據權利要求19所述的面板結構的制造方法，其特征在于，該些顆粒包括氧化鈦顆粒、氧化硅顆粒、氧化鋁顆粒、氧化鋅顆粒、氧化銦錫顆粒、金顆粒、銀顆粒、鉑顆粒或其它導電性顆粒。