[發(fā)明專利]一種簡易低壓柵極驅(qū)動電路

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410209593.2
• 申請日: 2014-05-17
• 公開（公告）號: CN104009617A
• 公開（公告）日: 2014-08-27
• 發(fā)明（設計）人: 胡天吉
• 申請（專利權）人: 蘇州藍萃電子科技有限公司
• 主分類號: H02M1/088
• 分類號: H02M1/088
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發(fā)明涉及一種電路，特別涉及一種簡易低壓柵極驅(qū)動電路。

背景技術

隨著電子集成發(fā)展，集成小芯片的應用也越來越適用于電子技術各個領域，低成本簡易的電路設計可以大大減少電子器件的開發(fā)成本。一般功率場效應管的最高柵源電壓為20V左右，所以在24V應用中要保證柵源電壓不能超過20V，增加了電路的復雜程度。但在12V或更低電壓的應用中，電路就可以大大簡化。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明要解決的技術問題是：提供一種電路簡單、開發(fā)成本低、便于推廣使用的低壓柵極驅(qū)動電路。

本發(fā)明解決其技術問題所采用的技術方案是：一種簡易低壓柵極驅(qū)動電路，包括：信號輸入端、信號輸出端、電源端、接地端、兩二極管、兩電阻、一功率場效應管、一溝道MOS管，所述信號輸入端連接一二極管正極，二極管負極連接功率場效應管，功率場效應管一端連接到電源端；信號輸入端連接另一二極管負極，二極管正極連接溝道MOS管，溝道MOS管一端連接接地端；功率場效應管與溝道MOS管相連接并作為信號輸出端，其中每一個二極管兩端分別并聯(lián)一電阻。

作為優(yōu)選方案，所述功率場效應管為IRF9540。

作為優(yōu)選方案，所述溝道MOS管為IRF540N溝道MOS管。

作為優(yōu)選方案，所述二極管為IN4148高頻開關二極管。

作為優(yōu)選方案，信號輸入端前端連接一施密特觸發(fā)器。所述施密特觸發(fā)器為555施密特觸發(fā)器。

本發(fā)明的有益效果是：通過R3，R4向柵極電容充電使場效應管延緩導通；而通過二極管直接將柵極電容放電使場效應管立即截止，從而避免了共態(tài)導通。該電路結構簡單、芯片成本低、易于大規(guī)模開發(fā)推廣使用。

附圖說明

圖1是本發(fā)明的結構示意圖。

具體實施方式

現(xiàn)在結合附圖和具體實施例，對本發(fā)明作進一步詳細的說明。這些附圖均為簡化的示意圖，僅以示意方式說明本發(fā)明的基本結構，因此其僅顯示與本發(fā)明有關的構成。這些實施例應理解為僅用于說明本發(fā)明而不用限制本發(fā)明的保護范圍。在閱讀了本發(fā)明的內(nèi)容之后，本領域技術人員可以對本發(fā)明作各種修改，這些等效的變化和修飾同樣落入本發(fā)明所限定的保護范圍。

如圖1所示的具體實施例，包括：信號輸入端IN、信號輸出端OUT、電源端POWER、接地端、兩二極管D1，D2、兩電阻R3，R4、一功率場效應管Q2、一溝道MOS管Q1，所述信號輸入端連接一二極管正極，二極管負極連接功率場效應管，功率場效應管一端連接到電源端；信號輸入端連接另一二極管負極，二極管正極連接溝道MOS管，溝道MOS管一端連接接地端；功率場效應管與溝道MOS管相連接并作為信號輸出端，其中每一個二極管兩端分別并聯(lián)一電阻。由于場效應管柵極電容的存在，通過R3，R4向柵極電容充電使場效應管延緩導通；而通過二極管直接將柵極電容放電使場效應管立即截止，從而避免了共態(tài)導通。這個電路要求在信號輸入端IN輸入的是邊緣陡峭的方波脈沖，因此控制信號從單片機或者其他開路輸出的設備接入后，要經(jīng)過施密特觸發(fā)器(比如555)或者輸出的高速比較器才能接到信號輸入端IN。如果輸入邊緣過緩，二極管延時電路也就失去了作用。R3，R4的選取與IN信號邊沿升降速度有關，信號邊緣越陡峭，R3，R4可以選的越小，開關速度也就可以做的越快。

以上顯示僅描述了本發(fā)明的主要特征和發(fā)明點。本領域的技術人員應該了解，本發(fā)明不受上述實施例的限制。在不脫離本發(fā)明點和保護范圍的前提下，本發(fā)明還會有各種變化，這些變化和改進都將落入本發(fā)明要求保護的范圍內(nèi)。本發(fā)明要求保護的范圍由所附的權利要求書及其等效物限定。