[發明專利]基于介質-介質-金屬結構的超材料光學傳感器及其制備方法有效
| 申請號： | 201410209198.4 | 申請日： | 2014-05-16 |
| 公開（公告）號： | CN103996719A | 公開（公告）日： | 2014-08-20 |
| 發明（設計）人： | 邵偉佳;許小亮;李為民;吳以治;王會杰;郁菁 | 申請（專利權）人： | 中國科學技術大學 |
| 主分類號： | H01L31/02 | 分類號： | H01L31/02;H01L31/18 |
| 代理公司： | 安徽省合肥新安專利代理有限責任公司 34101 | 代理人： | 何梅生 |
| 地址： | 230026 安*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基于 介質 金屬結構 材料 光學 傳感器 及其 制備 方法 | ||
1.基于介質-介質-金屬結構的超材料光學傳感器，其特征在于：在基底(1)上從下至上依次疊加設置有金屬薄膜(2)、介質層(3)和周期性介質單元陣列(4)。
2.根據權利要求1所述的超材料光學傳感器，其特征在于：所述金屬薄膜為金薄膜、銀薄膜、銅薄膜、鋁薄膜、或鉑薄膜。
3.根據權利要求1所述的超材料光學傳感器，其特征在于：所述介質層為二氧化硅薄膜、氧化鋁薄膜、氟化鎂薄膜或碳化硅薄膜。
4.根據權利要求1所述的超材料光學傳感器，其特征在于：所述周期性介質單元陣列為氮化硅點陣、碳化硅點陣、氧化鋁點陣或氟化鎂點陣。
5.根據權利要求1或4所述的超材料光學傳感器，其特征在于：所述周期性介質單元陣列的周期不小于400nm。
6.根據權利要求1所述的超材料光學傳感器，其特征在于：所述基底(1)為玻璃片，所述金屬薄膜(2)為金薄膜，所述介質層(3)為二氧化硅薄膜，所述周期性介質單元陣列(4)為長方體氮化硅單元四方點陣。
7.根據權利要求1所述的超材料光學傳感器，其特征在于：所述基底(1)為單晶硅，所述金屬薄膜(2)為銀薄膜，所述介質層(3)為氧化鋁薄膜，所述周期性介質單元陣列(4)為長方體狀碳化硅單元四方點陣。
8.根據權利要求1所述的超材料光學傳感器，其特征在于：所述基底(1)為玻璃片，所述金屬薄膜(2)為銅薄膜，所述介質層(3)為氧化鋁薄膜，所述周期性介質單元陣列(4)為長方體狀氮化硅單元四方點陣。
9.根據權利要求1所述的超材料光學傳感器，其特征在于：所述基底(1)為單晶硅，所述金屬薄膜(2)為鉑薄膜，所述介質層(3)為氧化鋁薄膜，所述周期性介質單元陣列(4)為長方體狀碳化硅單元四方點陣。
10.一種權利要求1至9任意一項所述超材料光學傳感器的制備方法，其特征在于按如下步驟進行：
a、將基底(1)置于去離子水中超聲清洗，以去除表面的雜質；
b、通過磁控濺射法或熱蒸發法在基底的上表面蒸鍍金屬薄膜(2)；
c、通過磁控濺射法在所述金屬薄膜上蒸鍍介質層(3)；
d、通過等離子體增強化學氣相沉積法在介質層(3)上沉積上表面介質層，然后通過激光劃線法或紫外光刻法將上表面介質層構造為周期性介質單元陣列(4)。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
