[發明專利]一種柔性顯示基板及其制備方法、柔性顯示裝置有效
| 申請號: | 201410207010.2 | 申請日: | 2014-05-16 |
| 公開(公告)號: | CN104022123A | 公開(公告)日: | 2014-09-03 |
| 發明(設計)人: | 楊靜 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L23/552;H01L21/77;H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 柔性 顯示 及其 制備 方法 顯示裝置 | ||
1.一種柔性顯示基板,其特征在于,包括:柔性基底、設置在所述柔性基底上方的第一緩沖層、設置在所述第一緩沖層遠離所述柔性基底一側的多個顯示元件,所述顯示元件包括薄膜晶體管和電極結構;其中,所述薄膜晶體管包括金屬氧化物半導體有源層;
所述柔性顯示基板還包括:設置在所述柔性基底下表面或設置在所述柔性基底和所述顯示元件之間的吸光層。
2.根據權利要求1所述的柔性顯示基板,其特征在于,所述吸光層包括非晶硅層。
3.根據權利要求1所述的柔性顯示基板,其特征在于,所述吸光層設置在所述柔性基底和所述第一緩沖層之間,且所述吸光層與所述柔性基底和所述第一緩沖層均接觸。
4.根據權利要求1所述的柔性顯示基板,其特征在于,所述吸光層設置在所述第一緩沖層和所述顯示元件之間;
所述柔性顯示基板還包括設置在所述吸光層和所述顯示元件之間的第二緩沖層,且所述吸光層與所述第一緩沖層和所述第二緩沖層均接觸。
5.根據權利要求1至4任一項所述的柔性顯示基板,其特征在于,所述電極結構包括陰極和陽極;其中,所述陰極和所述陽極中的其中一個電極與所述薄膜晶體管的漏極電連接;
所述顯示元件還包括設置在所述陰極和所述陽極之間的有機材料功能層。
6.根據權利要求5所述的柔性顯示基板,其特征在于,在所述吸光層包括非晶硅層的情況下,所述非晶硅層的面積小于所述第一緩沖層的面積;
其中,所述吸光層的邊緣與位于邊緣的所述顯示元件的所述有機材料功能層對齊。
7.根據權利要求1至4任一項所述的柔性顯示基板,其特征在于,所述電極結構包括像素電極;其中,所述像素電極與所述薄膜晶體管的漏極電連接。
8.一種柔性顯示裝置,其特征在于,包括:
權利要求1至7任一項所述的柔性顯示基板。
9.根據權利要求8所述的柔性顯示裝置,其特征在于,在所述柔性顯示基板包括陰極、陽極、薄膜晶體管和有機材料功能層的情況下,所述柔性顯示裝置還包括封裝層。
10.一種柔性顯示基板的制備方法,其特征在于,包括:
在承載基板上形成柔性基底;
在所述柔性基底上形成第一緩沖層;
在所述第一緩沖層上形成多個顯示元件,所述顯示元件包括薄膜晶體管和電極結構,所述薄膜晶體管包括金屬氧化物半導體有源層;
將所述柔性基底和所述承載基板剝離,得到柔性顯示基板;
其中,在形成所述顯示元件之前,所述方法還包括形成吸光層。
11.根據權利要求10所述的方法,其特征在于,所述吸光層包括非晶硅層。
12.根據權利要求10所述的方法,其特征在于,在形成所述顯示元件之前,形成吸光層,包括:
在形成所述柔性基底之前,形成所述吸光層,且所述吸光層與所述柔性基底接觸。
13.根據權利要求10所述的方法,其特征在于,在形成所述顯示元件之前,形成吸光層,包括:
在形成所述柔性基底之后,形成所述第一緩沖層之前,形成所述吸光層,且所述吸光層與所述柔性基底和所述第一緩沖層均接觸。
14.根據權利要求10所述的方法,其特征在于,在形成所述顯示元件之前,形成吸光層,包括:
在形成所述第一緩沖層之后,形成所述顯示元件之前,形成所述吸光層;
所述方法還包括:在形成所述吸光層之后,形成所述顯示元件之前,形成第二緩沖層,且所述吸光層與所述第一緩沖層和所述第二緩沖層均接觸。
15.根據權利要求10至14任一項所述的方法,其特征在于,形成電極結構包括:形成陰極和陽極;其中,所述陰極和所述陽極中的其中一個電極與所述薄膜晶體管的漏極電連接;
所述方法還包括:在所述陰極和所述陽極之間形成有機材料功能層。
16.根據權利要求15所述的方法,其特征在于,在所述吸光層包括非晶硅層的情況下,所述非晶硅層的面積小于所述第一緩沖層的面積;
其中,所述吸光層的邊緣與位于邊緣的所述顯示元件的所述有機材料功能層對齊。
17.根據權利要求10至14任一項所述的方法,其特征在于,形成電極結構包括:形成像素電極;其中,所述像素電極與所述薄膜晶體管的漏極電連接。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





