[發明專利]半導體器件、互連層和互連層的制作方法

有效

• 申請號: 201410206393.1
• 申請日: 2014-05-15
• 公開（公告）號: CN105097658B
• 公開（公告）日: 2018-05-25
• 發明（設計）人: 鄧浩
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L23/538
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 吳貴明;張永明

1.一種互連層的制作方法，其特征在于，包括：

在半導體襯底上形成具有凹槽的介電層；

在所述凹槽內形成金屬層；

填充所述介電層的表面中的孔隙；

在所述介電層的表面及所述金屬層的表面上形成金屬蓋層；

其中，使二烯烴與所述介電層的表面進行接觸處理以填充所述介電層的表面中的孔隙。

2.根據權利要求1所述的互連層的制作方法，其特征在于，所述二烯烴為1，3-環己二烯或二環庚二烯。

3.根據權利要求2所述的互連層的制作方法，其特征在于，所述接觸處理包括：

采用旋涂、噴涂或浸泡的方式使所述二烯烴與所述介電層的表面接觸；

加熱所述二烯烴以使得所述二烯烴與所述介電層的表面的材料發生交聯反應。

4.根據權利要求1所述的互連層的制作方法，其特征在于，形成所述金屬層的步驟包括：

在所述凹槽內以及所述介電層的表面上形成金屬預備層；

對所述金屬預備層進行化學機械拋光以形成所述金屬層。

5.根據權利要求4所述的互連層的制作方法，其特征在于，在形成所述金屬層之后，所述制作方法還包括：

采用硅氧烷對所述介電層的表面進行處理。

6.根據權利要求5所述的互連層的制作方法，其特征在于，所述硅氧烷為八甲基環四硅氧烷或四甲基環四硅氧烷。

7.根據權利要求1所述的互連層的制作方法，其特征在于，在使二烯烴與所述介電層的表面進行接觸處理后，所述制作方法還包括：

對所述介電層進行等離子體處理。

8.根據權利要求7所述的互連層的制作方法，其特征在于，所述等離子體為氦等離子體。

9.根據權利要求1所述的互連層的制作方法，其特征在于，在形成所述金屬蓋層的步驟之后，所述制作方法還包括：

對所述介電層的表面進行紫外光照射處理以去除所述介電層的表面中的二烯烴。

10.根據權利要求1至9中任一項所述的互連層的制作方法，其特征在于，所述介電層的材料選自氟硅玻璃、磷硅玻璃或硼硅玻璃中的任一種或多種。

11.根據權利要求1至9中任一項所述的互連層的制作方法，其特征在于，所述金屬蓋層的材料選自鈷或釕中的一種。

12.根據權利要求1至9中任一項所述的互連層的制作方法，其特征在于，所述金屬層的材料為銅。

13.一種互連層，其特征在于，所述互連層由權利要求1至12中的任一項所述的互連層的制作方法制成。

14.一種半導體器件，包括至少一層互連層，其特征在于，所述互連層由權利要求1至12中的任一項所述的互連層的制作方法制成。