[發(fā)明專利]一種離子注入的方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410205401.0
• 申請(qǐng)日: 2014-05-15
• 公開（公告）號(hào): CN103972062A
• 公開（公告）日: 2014-08-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 田慧;皇甫魯江
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/265
• 分類號(hào): H01L21/265
• 代理公司: 北京中博世達(dá)專利商標(biāo)代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

1.一種離子注入的方法，其特征在于，所述方法包括：

在基板表面制備石墨薄膜；

通過一次構(gòu)圖工藝形成石墨掩膜層；

以所述石墨掩膜層為掩膜進(jìn)行離子注入。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述通過一次構(gòu)圖工藝形成石墨掩膜層具體包括：

在所述石墨薄膜上涂覆光刻膠，通過一次光刻工藝形成光刻膠圖案層；

以所述光刻膠圖案層為掩膜，對(duì)所述石墨薄膜進(jìn)行干法刻蝕，形成所述石墨掩膜層；

去除所述光刻膠圖案層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述光刻膠圖案層的去除方法包括濕法剝離。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述在基板表面制備石墨薄膜具體包括：在半導(dǎo)體基板的表面沉積所述石墨薄膜；

其中，所述半導(dǎo)體基板包括導(dǎo)體/絕緣襯底基板和位于所述導(dǎo)體/絕緣襯底基板表面的半導(dǎo)體薄膜；或者，

所述半導(dǎo)體基板為半導(dǎo)體襯底基板。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，在基板表面制備石墨薄膜之前，所述方法還包括：

清洗所述半導(dǎo)體基板。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，在以所述石墨掩膜層為掩膜進(jìn)行離子注入之后，所述方法還包括：

去除所述石墨掩膜層，并清洗離子注入后的所述半導(dǎo)體基板。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述去除所述石墨掩膜層具體包括：

采用干法刻蝕去除所述石墨掩膜層；

其中，所述干法刻蝕包括等離子體刻蝕。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述等離子體刻蝕包括氧氣等離子體刻蝕。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述在基板表面制備石墨薄膜具體包括：通過磁控濺射或者等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法在基板表面制備所述石墨薄膜。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述石墨薄膜的厚度為10-150nm。