[發明專利]有機發光顯示器有效
| 申請號: | 201410204705.5 | 申請日: | 2014-05-15 |
| 公開(公告)號: | CN104253142B | 公開(公告)日: | 2018-12-14 |
| 發明(設計)人: | 徐智勛;李寬熙;尹智煥;田炳勛;任子賢 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京德琦知識產權代理有限公司 11018 | 代理人: | 于會玲;宋志強 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光 顯示器 | ||
一種有機發光顯示器包括:基板;設置在基板上的第一像素電極;設置在基板上的第二像素電極;設置在第一像素電極和第二像素電極上的空穴輔助層;與第一像素電極相對應地設置在空穴輔助層上的第一有機發射層;與第一像素電極和第二像素電極相對應地設置在空穴輔助層上的藍色有機發射層,藍色有機發射層被進一步設置在第一有機發射層上;設置在藍色有機發射層上的無摻雜藍色有機發射層;設置在無摻雜藍色有機發射層上的電子輔助層;以及設置在電子輔助層上的公共電極。
技術領域
示例性實施例涉及顯示器技術,并且,尤其涉及有機發光顯示器及其制造方法。
背景技術
現有的有機發光裝置通常包括兩個電極和設置在兩個電極之間的有機發射層。這兩個電極中的一電極將空穴注入有機發射層,而另一電極將電子注入有機發射層。被注入的電子和空穴相結合以形成激子,激子在被釋放能量時發光。應注意,有機發射層可以被配置為發射在至少一種波長(像例如,紅色、綠色和藍色波長)范圍內的光。為此,可以使用各種方法(像例如,激光誘導熱成像和激光誘導升華轉印技術)來制造這樣的有機發射層。
激光誘導熱成像(LITI)是激光處理的熱圖案化技術,用于用激光束曝光掩模圖案以產生照射到包括基底膜和轉移層的供體膜上的有圖案的激光束。轉移層的被曝光區域可以從轉移層脫離,并且,因而粘附于有機發光顯示器的一部分上以形成有機發光顯示器的發射層。應注意,LITI使用“干”制造工藝,使每個發射層能夠被精確地圖案化并被放置。
然而,藍色有機發射層可以為易于傳熱的,這通常發生在用有圖案的激光束照射藍色有機發射層時。如此,藍色有機發射層可以被真空沉積在比用于藍色有機發射層的更大的表面上。即,在使用LITI形成有機發光層時,可以與除藍色像素之外的其它顏色的像素(例如,紅色像素和綠色像素)相關聯地形成藍色有機發射層。這可以被稱作為包括藍色公共層(BCL)結構的有機發光顯示器。然而,應注意,紅色有機發射層和綠色有機發射層由于形成于其上的藍色有機發射層的存在,可以需要更高的驅動電壓。如此,發光效率可以被降低并且壽命可以被衰減。
在該背景技術部分中所公開的上述信息僅用于加強對本發明構思的背景技術的理解,因而它可能包括不構成在本國對本領域普通技術人員而言已知的現有技術的信息。
發明內容
示例性實施例提供有機發光顯示器,其包括具有相對高的發光效率和提高的壽命的藍色公共層結構。
示例性實施例提供制造有機發光顯示器的方法,該有機發光顯示器包括具有相對高的發光效率和提高的壽命的藍色公共層結構。
示例性實施例提供顯示裝置,其包括具有相對高的發光效率和提高的壽命的藍色公共層結構。
另外的方面將在下面的詳細說明中被闡述,并部分地將通過本公開內容顯而易見的,或者可以通過本發明構思的實行而得知。
根據示例性實施例,一種有機發光顯示器包括:基板;設置在所述基板上的第一像素電極;設置在所述基板上的第二像素電極;設置在所述第一像素電極和所述第二像素電極上的空穴輔助層;與所述第一像素電極相對應地設置在所述空穴輔助層上的第一有機發射層;與所述第一像素電極和所述第二像素電極相對應地設置在所述空穴輔助層上的藍色有機發射層,所述藍色有機發射層被進一步設置在所述第一有機發射層上;設置在所述藍色有機發射層上的無摻雜藍色有機發射層;設置在所述無摻雜藍色有機發射層上的電子輔助層;以及設置在所述電子輔助層上的公共電極。
根據示例性實施例,一種方法包括:在基板上形成第一像素電極和第二像素電極;在所述第一像素電極上形成第一有機發射層;在所述第一有機發射層和所述第二像素電極上形成第一藍色有機發射層;并且與所述第一像素電極和所述第二像素電極相對應地在所述第一藍色有機發射層上形成第二藍色有機發射層。所述第二藍色有機發射層不包括藍色摻雜物。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





