[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件、集成電路以及制造半導(dǎo)體器件的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410204575.5
• 申請(qǐng)日: 2014-05-15
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104167443B
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-04-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: F.希爾勒;A.毛德;A.邁澤爾;T.施勒澤爾
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 英飛凌科技奧地利有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L29/06;H01L29/10;H01L21/336
• 代理公司: 中國(guó)專利代理(香港)有限公司72001
• 代理人: 馬麗娜,徐紅燕

1.一種半導(dǎo)體器件，包括：

晶體管，該晶體管包括在具有第一主表面的第一半導(dǎo)體層中的本體區(qū)、漂移區(qū)域、源極區(qū)和漏極區(qū)，所述本體區(qū)和漂移區(qū)域沿著第一方向被設(shè)置在所述源極區(qū)和漏極區(qū)之間，所述第一方向平行于第一主表面；

在所述第一半導(dǎo)體層中并且在所述第一方向上延伸的溝槽，

該晶體管還包括鄰近所述本體區(qū)的柵極電極和鄰近所述漂移區(qū)域的漂移控制區(qū)，所述漂移控制區(qū)和柵極電極被設(shè)置在所述溝槽中。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述漂移控制區(qū)包括單晶半導(dǎo)體材料。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述漂移控制區(qū)和柵極電極包括單晶半導(dǎo)體材料。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括設(shè)置在所述漂移區(qū)和漂移控制區(qū)之間的介電層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中鄰近所述溝槽中每一個(gè)的底面設(shè)置所述漂移區(qū)的一部分。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述漂移控制區(qū)的部分從第一主表面突出。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，還包括鄰近所述漂移控制區(qū)的從第一主表面突出的部分設(shè)置的絕緣間隔物。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述漂移控制區(qū)形成設(shè)置在所述第一半導(dǎo)體層之上的第二半導(dǎo)體層的一部分。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述柵極電極與所述漂移控制區(qū)接觸并且電耦合。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中用第一導(dǎo)電類型的摻雜劑摻雜所述漂移控制區(qū)，并且用第二導(dǎo)電類型的摻雜劑摻雜所述柵極電極。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括使所述柵極電極與所述漂移控制區(qū)絕緣的絕緣材料。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件，其中用第一導(dǎo)電類型的摻雜劑摻雜所述柵極電極，并且所述漂移控制區(qū)包括用第二導(dǎo)電類型的摻雜劑摻雜的第一部分和用第一導(dǎo)電類型的摻雜劑摻雜的第二部分，所述漂移控制區(qū)的第一部分鄰近所述柵極電極。

13.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，還包括設(shè)置在所述柵極電極和本體區(qū)之間的柵極介電層，所述柵極介電層的厚度近似等于設(shè)置在所述漂移區(qū)和漂移控制區(qū)之間的介電層的厚度。

14.一種制造包括晶體管的半導(dǎo)體器件的方法，該方法包括：

在具有第一主表面的第一半導(dǎo)體層中形成溝槽，所述溝槽在第一方向上延伸，所述第一方向平行于第一主表面；

在第一半導(dǎo)體層中形成本體區(qū)、漂移區(qū)域、源極區(qū)和漏極區(qū)，以使得所述本體區(qū)和漂移區(qū)域沿著所述第一方向被設(shè)置在所述源極區(qū)和漏極區(qū)之間且在鄰近溝槽之間；以及

在溝槽中的每一個(gè)中形成柵極電極和漂移控制區(qū)，以使得所述柵極電極鄰近所述本體區(qū)并且所述漂移控制區(qū)被布置成鄰近所述漂移區(qū)域。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，還包括：

在形成所述溝槽之后在第一主表面之上外延地形成犧牲層，所述犧牲層的材料不同于所述第一半導(dǎo)體層的材料；以及

在所述犧牲層之上外延地形成第二半導(dǎo)體層，所述第二半導(dǎo)體層的材料不同于所述犧牲層的材料，其中所述柵極電極和漂移控制區(qū)形成在所述第二半導(dǎo)體層的部分中。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，還包括：

去除所述犧牲層；以及

在所述第一和第二半導(dǎo)體層之間形成介電層。

17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中所述第一和第二半導(dǎo)體層由硅制成并且所述犧牲層由硅鍺（SiGe）制成。

18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，還包括使所述第二半導(dǎo)體層圖案化以便從鄰近溝槽之間的空間中去除所述第二半導(dǎo)體層的部分。

19.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中在第二半導(dǎo)體層中形成所述柵極電極和漂移控制區(qū)，所述第二半導(dǎo)體層被設(shè)置在所述第一半導(dǎo)體層之上。