[發明專利]檢測裝置和檢測系統

有效

• 申請號: 201410204548.8
• 申請日: 2014-05-15
• 公開（公告）號: CN104167421B
• 公開（公告）日: 2017-09-12
• 發明（設計）人: 渡邊實;橫山啟吾;大藤將人;川鍋潤;藤吉健太郎;和山弘
• 申請（專利權）人: 佳能株式會社
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;G01T1/24
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所11038
• 代理人: 楊小明

1.一種檢測裝置，包括：

允許可見光穿過的基板；

包含從與基板相鄰的側起依次布置的像素電極、雜質半導體層和半導體層的轉換元件，轉換元件被配置為將放射線或光轉換成電荷；

被配置為經基板向轉換元件發射可見光的光源，

設置在基板與像素電極之間的晶體管；和

與該晶體管電連接的配線，

其中，像素電極包含允許可見光穿過的金屬層，所述金屬層與所述雜質半導體層的至少一部分直接接觸，

其中，所述金屬層在重疊于所述半導體層的正交投影上的區域中具有間隙，并且

其中，該配線在包含所述間隙的正交投影的位置處具有間隙。

2.根據權利要求1的裝置，

其中，像素電極還包含設置在所述金屬層的至少一部分與所述雜質半導體層之間的導電層，并且，

其中，所述導電層包含金屬或合金，所述導電層具有比所述金屬層高的透光率，并且，所述導電層與所述金屬層接觸并在所述間隙中與所述雜質半導體層接觸。

3.根據權利要求1的裝置，還包括：

設置在基板與像素電極之間的層間絕緣層，

其中，像素電極還包含設置在所述金屬層與所述層間絕緣層之間的導電層，并且，

其中，所述導電層具有比所述金屬層高的透光率，并且，所述導電層與所述金屬層接觸并在所述間隙中與所述雜質半導體層接觸。

4.根據權利要求3的裝置，其中，所述導電層包含透明導電氧化物。

5.根據權利要求1的裝置，還包括：

設置在基板與像素電極之間的晶體管；和

設置在基板和該晶體管中的每一個與像素電極之間的層間絕緣層，

其中，所述層間絕緣層具有接觸孔，像素電極通過所述接觸孔與該晶體管電連接，并且，

其中，所述金屬層在所述接觸孔中的區域以外的區域中具有間隙。

6.根據權利要求1的裝置，還包括：

分別包含轉換元件和與像素電極電連接的所述晶體管的多個像素，所述晶體管被配置為傳送電荷，像素按陣列布置在基板上；和

被配置為在逐行的基礎上依次驅動像素的晶體管以從像素輸出基于電荷的圖像信號的驅動電路，

其中，像素電極滿足以下的關系：

R_S≤T/(n×C_s)-R_ON

這里，C_S表示轉換元件的電容，R_ON表示晶體管的導通狀態電阻，T表示驅動電路在逐行的基礎上依次驅動像素的晶體管以輸出實現需要的S/N比的圖像信號所需要的時間，n表示像素陣列的行數，以及R_S表示包含所述雜質半導體層和像素電極的部件的電阻。

7.根據權利要求5的裝置，還包括：

被設置為與像素電極一起覆蓋所述層間絕緣層的覆蓋部件。

8.根據權利要求1的裝置，其中，所述半導體層包含非晶硅并且所述雜質半導體層包含n型非晶硅。

9.根據權利要求8的裝置，其中，轉換元件還包含被設置為與像素電極相對的對電極以及被設置在所述半導體層與對電極之間的另一雜質半導體層，并且，所述另一雜質半導體層包含p型非晶硅。

10.一種檢測系統，包括：

根據權利要求1的檢測裝置；

被配置為處理來自檢測裝置的信號的信號處理單元；

被配置為記錄來自信號處理單元的信號的記錄單元；

被配置為顯示來自信號處理單元的信號的顯示單元；和

被配置為傳送來自信號處理單元的信號的傳送單元。

11.根據權利要求10的系統，還包括：

被配置為向檢測裝置發射放射線的放射線源。