[發明專利]一種基于AAQFN的二次曝光和二次塑封的封裝件及其制作工藝在審
| 申請號: | 201410203970.1 | 申請日: | 2014-05-14 |
| 公開(公告)號: | CN104037093A | 公開(公告)日: | 2014-09-10 |
| 發明(設計)人: | 李濤濤;崔夢 | 申請(專利權)人: | 華天科技(西安)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48;H01L21/56;H01L21/50 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 710018 陜西省西*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 基于 aaqfn 二次 曝光 塑封 封裝 及其 制作 工藝 | ||
1.一種基于AAQFN的二次曝光和二次塑封的封裝件,其特征在于:主要由引線框架(1)、焊球(2)、下芯片(3)、上芯片(4)、膠膜(5)、鍵合線(6)、上塑封體(7)、下塑封體(12)、綠油(9)和植球(10)組成;所述引線框架(1)上通過焊球(2)焊接在下芯片(3)上,下芯片(3)通過膠膜(5)與上芯片(4)粘接,鍵合線(6)連接上芯片(4)和引線框架(1),上塑封體(7)包圍了引線框架(1)的部分、下芯片(3)、上芯片(4)、膠膜(5)和鍵合線(6),所述引線框架(1)間填充有綠油(9),引線框架(1)連接有植球(10),下塑封體(12)包圍了引線框架(1)的部分、綠油(9)和植球(10)的部分。
2.一種基于AAQFN的二次曝光和二次塑封的封裝件的制作工藝,其特征在于:具體按照以下步驟進行:
(1)晶圓減薄:減薄厚度50μm~200μm,粗糙度Ra0.10mm~0.05mm;
(2)劃片:150μm以上晶圓同普通QFN劃片工藝,但厚度在150μm以下晶圓,使用雙刀劃片機及其工藝;
(3)上芯(粘片):既可采用粘片膠又可采用膠膜片(DAF)上芯;
(4)壓焊:壓焊同常規AAQFN工藝相同;
(5)一次塑封:用傳統塑封料進行塑封;
(6)后固化工藝同常規AAQFN工藝;
(7)印刷感光油墨;
(8)曝光、顯影;
(9)引腳蝕刻分離;
(10)去膜:去感光油墨;
(11)刷綠油:用綠油填充引腳分離后的空隙;
(12)曝光、顯影,制作環狀綠油;
(13)植球;
(14)貼膜;
(15)二次塑封;
(16)揭膜。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





