[發明專利]多晶硅薄膜、多晶硅薄膜晶體管及陣列基板的制備方法

在審

• 申請號: 201410203194.5
• 申請日: 2014-05-14
• 公開（公告）號: CN103972050A
• 公開（公告）日: 2014-08-06
• 發明（設計）人: 劉政
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/268;H01L29/786;H01L21/336
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

1.一種多晶硅薄膜的制備方法，包括：在襯底基板上形成非晶硅薄膜；采用準分子激光退火方法對所述非晶硅薄膜進行處理，使所述非晶硅薄膜晶化為多晶硅薄膜；其特征在于，在形成所述非晶硅薄膜之后，采用準分子激光退火方法對所述非晶硅薄膜進行處理之前，所述方法還包括：

對所述非晶硅薄膜的表面進行鎳鹽溶液處理，使所述鎳鹽溶液均勻涂于所述非晶硅薄膜的表面。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述對所述非晶硅薄膜的表面進行鎳鹽溶液處理，使所述鎳鹽溶液均勻涂于所述非晶硅薄膜的表面，包括：

采用浸泡或噴濺的方法，使所述鎳鹽溶液均勻涂于所述非晶硅薄膜的表面。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述鎳鹽溶液中鎳的濃度為1～1000μg/mg。

4.根據權利要求1至3任一項所述的方法，其特征在于，在對所述非晶硅薄膜的表面進行鎳鹽溶液處理之后，采用準分子激光退火方法對所述非晶硅薄膜進行處理之前，所述方法還包括：

對所述非晶硅薄膜進行脫氫工藝處理，使所述非晶硅薄膜中的氫含量在3％以下。

5.一種多晶硅薄膜晶體管的制備方法，包括：在襯底基板上形成有源層、位于所述有源層上方的柵絕緣層、柵電極、源電極和漏電極；所述有源層包括源極區、漏極區、位于所述源極區和所述漏極區之間的溝道區；其中，所述有源層是通過對多晶硅層的與所述源極區和所述漏極區相對應的區域進行摻雜工藝形成；其特征在于，

所述多晶硅層為對權利要求1至4任一項所述的多晶硅薄膜進行構圖工藝得到。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述多晶硅層為對多晶硅薄膜進行構圖工藝得到，包括：

在形成有多晶硅薄膜的基板上，形成光刻膠薄膜；

采用普通掩模板對形成有所述光刻膠薄膜的基板進行曝光，顯影后形成光刻膠完全保留部分和光刻膠完全去除部分；其中，所述光刻膠完全保留部分與所述多晶硅層對應，光刻膠完全去除部分對應其余部分；

采用干法刻蝕去除所述光刻膠完全去除部分的所述多晶硅薄膜，形成所述多晶硅層；

采用剝離工藝將所述光刻膠完全保留部分去除。

7.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述多晶硅層的厚度為

8.根據權利要求5至7任一項所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：在形成所述多晶硅薄膜之前，在所述襯底基板表面形成緩沖層。

9.一種陣列基板的制備方法，包括：形成薄膜晶體管和像素電極；其特征在于，所述薄膜晶體管通過權利要求5至8任一項所述的多晶硅薄膜晶體管的制備方法形成。

10.根據權利要求9所述的方法，其特征在于，還包括形成公共電極。