[發(fā)明專利]一種獲取流注沿絕緣介質表面?zhèn)鞑サ膫鞑ジ怕史植记€的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410201930.3 | 申請日: | 2014-05-13 |
| 公開(公告)號: | CN103995219A | 公開(公告)日: | 2014-08-20 |
| 發(fā)明(設計)人: | 梅紅偉;王黎明;孟曉波;葉維平;張若兵;關志成 | 申請(專利權)人: | 清華大學深圳研究生院 |
| 主分類號: | G01R31/12 | 分類號: | G01R31/12 |
| 代理公司: | 深圳新創(chuàng)友知識產權代理有限公司 44223 | 代理人: | 趙燁福 |
| 地址: | 518055 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 獲取 流注 絕緣 介質 表面 傳播 概率 分布 曲線 方法 | ||
1.一種獲取流注沿絕緣介質表面?zhèn)鞑サ膫鞑ジ怕史植记€的方法,其特征在于包括以下步驟:
S1、將待測的絕緣介質置于沿絕緣介質表面流注放電試驗系統(tǒng)中,以至少測量在四個不同電場強度E下流注自所述絕緣介質的第一端部傳播到第二端部的傳播概率y,從而獲得至少四組電場強度E與傳播概率y的對應數(shù)據(jù);
S2、根據(jù)下述高斯分布公式對所述數(shù)據(jù)進行擬合,獲取流注沿所述絕緣介質表面?zhèn)鞑サ膫鞑ジ怕史植记€:
高斯分布公式:
其中,Ec為電場強度的均值,w為此高斯分布的方差,A、y0為待定系數(shù)。
2.根據(jù)權利要求1所述的方法,其特征在于:
所述步驟S1中的所述沿絕緣介質表面流注放電試驗系統(tǒng)包括流注放電產生裝置和測量系統(tǒng);
所述流注放電產生裝置包括:
三電極結構,包括相對且平行地設置的上極板和下極板,以及一個針電極,所述針電極設置于所述下極板上且與所述下極板絕緣,所述下極板接地;
高壓直流電源,其輸出端連接所述上極板;
觸發(fā)脈沖發(fā)生裝置,其輸出端連接所述針電極;
所述測量系統(tǒng)包括第一處理器和連接在所述第一處理器的光電倍增管,所述光電倍增管與所述上極板的下表面對準;
所述步驟S1包括:將絕緣介質置于所述上極板和所述下極板之間,且與所述上極板抵接,開啟所述高壓直流電源使所述上、下極板之間產生預定電場強度E的均勻電場,在每個電場強度下控制所述觸發(fā)脈沖發(fā)生裝置產生至少n次納秒級高壓方波脈沖,利用所述第一處理器采集所述光電倍增管接收到的脈沖次數(shù)m,并計算出在該電場強度E下的傳播概率y=m/n,其中n≥15。
3.根據(jù)權利要求2所述的方法,其特征在于:所述步驟S1中相鄰所述高壓方波脈沖之間間隔至少20s。
4.根據(jù)權利要求2或3所述的方法,其特征在于:所述高壓方波脈沖的脈沖寬度為100ns-250ns,脈沖幅值為1kV-4kV。
5.根據(jù)權利要求2或3所述的方法,其特征在于:所述第一處理器為示波器,采樣頻率不小于1GHz、頻帶寬度不小于100MHz。
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