[發(fā)明專利]一種焊盤下裝置的檢測結(jié)構(gòu)及檢測方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410201704.5
• 申請日: 2014-05-14
• 公開（公告）號: CN105097781B
• 公開（公告）日: 2018-11-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 甘正浩
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L23/544
• 分類號: H01L23/544;H01L21/66
• 代理公司: 北京市磐華律師事務(wù)所 11336
• 代理人: 高偉;馮永貞

本發(fā)明涉及一種焊盤下裝置的檢測結(jié)構(gòu)及檢測方法，所述檢測結(jié)構(gòu)包括位于所述焊盤下方的檢測單元；其中，所述檢測單元包括若干環(huán)形振蕩器，所述若干環(huán)形振蕩器線形排列形成線形陣列或者內(nèi)外嵌套形成環(huán)形陣列。本發(fā)明為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，提供了一種焊盤下裝置的檢測結(jié)構(gòu)，包括焊盤以及位于所述焊盤下方的檢測單元；其中，所述檢測單元包括若干環(huán)形振蕩器，其中所述若干環(huán)形振蕩器線形排列形成線形陣列或者內(nèi)外嵌套設(shè)置形成環(huán)形陣列，在接合或者探測前后分別對所述檢測結(jié)構(gòu)進(jìn)行測試，并通過比較接合或者探測前后的參數(shù)，得到在所述接合或者探測過程中對所述檢測結(jié)構(gòu)的影響，從而對焊盤下裝置進(jìn)行評價(jià)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，具體地，本發(fā)明涉及一種焊盤下裝置的檢測結(jié)構(gòu)及檢測方法。

背景技術(shù)

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，器件尺寸和芯片尺寸不斷縮小，為了進(jìn)一步縮小芯片的尺寸，需要在接合焊盤或者探測焊盤(bonding/probing pads)下面形成有源電路(active circuits)或者裝置。

在器件制備過程中通常包含接合(bonding)、探測(probing)的步驟，在所述步驟中會產(chǎn)生接合應(yīng)力和探測應(yīng)力，所述應(yīng)力會引起焊盤下電路或裝置性能的波動，例如傳播延遲(propagation delay)和漏電流(drain current)波動等，因此，在研發(fā)以及批量生產(chǎn)階段需要對由接合應(yīng)力和探測應(yīng)力引起的所述效應(yīng)進(jìn)行評估。

現(xiàn)有技術(shù)中可以針對單個晶體管或者晶體管陣列進(jìn)行檢測，但是沒有針對焊盤下裝置、電路進(jìn)行檢測的檢測結(jié)構(gòu)和方法。

發(fā)明內(nèi)容

在發(fā)明內(nèi)容部分中引入了一系列簡化形式的概念，這將在具體實(shí)施方式部分中進(jìn)一步詳細(xì)說明。本發(fā)明的發(fā)明內(nèi)容部分并不意味著要試圖限定出所要求保護(hù)的技術(shù)方案的關(guān)鍵特征和必要技術(shù)特征，更不意味著試圖確定所要求保護(hù)的技術(shù)方案的保護(hù)范圍。

本發(fā)明為了克服目前存在問題，提供了一種焊盤下裝置的檢測結(jié)構(gòu)，包括位于所述焊盤下方的檢測單元；

其中，所述檢測單元包括若干環(huán)形振蕩器，所述若干環(huán)形振蕩器線形排列形成線形陣列或者內(nèi)外嵌套形成環(huán)形陣列。

可選地，所述若干環(huán)形振蕩器線形排列成若干行，每一行包括若干列，以形成所述線形陣列；其中每個所述環(huán)形振蕩器包括相同數(shù)目的反相器。

可選地，所述環(huán)形陣列包括內(nèi)外嵌套設(shè)置的一個內(nèi)環(huán)形振蕩器和一個外環(huán)形振蕩器，其中，所述內(nèi)環(huán)形振蕩器和所述外環(huán)形振蕩器包括相同數(shù)目的反相器。

可選地，所述外環(huán)形振蕩器和所述內(nèi)環(huán)形振蕩器整體呈方形結(jié)構(gòu)，所述外環(huán)形振蕩器的一邊包括N個反相器，另一邊包括M個反相器，相應(yīng)地，所述內(nèi)環(huán)形振蕩器的一邊包括N-2個反相器，另一邊包括M-2個反相器，且2N+2M-4＝(N-2)(M-2)。

可選地，在所述環(huán)形陣列的外圍還設(shè)置有若干虛擬反相器，以包圍所述環(huán)形陣列，其中，所述虛擬反相器彼此獨(dú)立設(shè)置。

可選地，在所述環(huán)形陣列中，由內(nèi)到外所述環(huán)形振蕩器中反相器的數(shù)目依次增加。

可選地，每個所述環(huán)形振蕩器都具有測試端，用于連接。

可選地，所述環(huán)形振蕩器包括若干反相器首尾相連，其中，每個反相器包括一個NMOS和一個PMOS，所述NMOS和所述PMOS的柵極相連形成所述反相器的輸入端，所述NMOS漏極和所述PMOS的源極相連形成所述反相器的輸出端，所述NMOS的源極接地，所述PMOS的源極連接電源。

本發(fā)明還提供了一種基于上述結(jié)構(gòu)的測試方法，包括：

步驟(a)在對所述焊盤接合和/或探測前對所述檢測單元進(jìn)行測試；

步驟(b)在對所述焊盤接合和/或探測后對所述檢測單元進(jìn)行測試；