[發(fā)明專利]半浮柵晶體管結(jié)構

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410201614.6
• 申請日: 2014-05-13
• 公開（公告）號: CN105097953B
• 公開（公告）日: 2018-08-03
• 發(fā)明（設計）人: 彭坤
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L29/788
• 分類號: H01L29/788
• 代理公司: 北京康信知識產(chǎn)權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 吳貴明;張永明

1.一種半浮柵晶體管結(jié)構，所述半浮柵晶體管結(jié)構包括：

襯底，具有相互隔離的第一N阱區(qū)和第二N阱區(qū)；

柵氧化層，設置在所述襯底的表面上，所述柵氧化層中設有間隔槽，所述間隔槽設置在所述第一N阱區(qū)上；

浮柵，設置在所述柵氧化層的表面上，且內(nèi)部摻雜有P型離子，所述浮柵包括第一浮柵部和第二浮柵部，所述第一浮柵部設置在所述柵氧化層的遠離所述襯底的表面上，所述第二浮柵部與所述第一浮柵部一體設置，且設置在所述間隔槽中；其特征在于，

所述半浮柵晶體管結(jié)構還包括：

第一N型離子重摻雜區(qū)，設置在所述第二浮柵部中，所述第一浮柵部與所述第一N型離子重摻雜區(qū)形成第一pn結(jié)二極管；

第一P型離子重摻雜區(qū)，設置在所述第一N阱區(qū)中并與所述第一N型離子重摻雜區(qū)相對連接，所述第一P型離子重摻雜區(qū)與所述N阱區(qū)形成第二pn結(jié)二極管，所述第一pn結(jié)二極管與所述第二pn結(jié)二極管形成兩個相互串聯(lián)的pn結(jié)，

或者所述半浮柵晶體管結(jié)構還包括：

第一N型離子重摻雜區(qū)，設置在所述第二浮柵部中，所述第一浮柵部與所述第一N型離子重摻雜區(qū)形成第一pn結(jié)二極管；

第一P型離子重摻雜區(qū)，設置在所述第一N阱區(qū)中并與所述第一N型離子重摻雜區(qū)相對連接；

第二N型離子重摻雜區(qū)，設置在所述第一N阱區(qū)中且圍繞所述第一P型離子重摻雜區(qū)設置，所述第一P型離子重摻雜區(qū)與所述第二N型離子重摻雜區(qū)形成第二pn結(jié)二極管，所述第一pn結(jié)二極管與所述第二pn結(jié)二極管形成兩個相互串聯(lián)的pn結(jié)。

2.根據(jù)權利要求1所述的半浮柵晶體管結(jié)構，其特征在于，所述第一N阱區(qū)中具有設置在所述間隔槽下方的凹槽，所述第一P型離子重摻雜區(qū)設置在所述凹槽中。

3.根據(jù)權利要求2所述的半浮柵晶體管結(jié)構，其特征在于，所述凹槽的深度0.5～800nm。

4.根據(jù)權利要求1所述的半浮柵晶體管結(jié)構，其特征在于，所述第一浮柵部中P型離子濃度為10¹¹～10²¹個/cm³，所述第一N型離子重摻雜區(qū)中N型離子濃度為10¹¹～10²¹個/cm³，所述第一P型離子重摻雜區(qū)中P型離子濃度為10¹¹～10²¹個/cm³。

5.根據(jù)權利要求1所述的半浮柵晶體管結(jié)構，其特征在于，所述第二N型離子重摻雜區(qū)中N型離子濃度為10¹¹～10²¹個/cm³。

6.根據(jù)權利要求1所述的半浮柵晶體管結(jié)構，其特征在于，所述半浮柵晶體管結(jié)構還包括：

層間隔離層，設置在所述浮柵的遠離所述襯底的表面上；

控制柵，設置在所述層間隔離層的遠離所述襯底的表面上。

7.根據(jù)權利要求6所述的半浮柵晶體管結(jié)構，其特征在于，所述控制柵中摻雜有濃度為10¹⁵～10²¹個/cm³的N型雜質(zhì)離子或P型雜質(zhì)離子。

8.根據(jù)權利要求6所述的半浮柵晶體管結(jié)構，其特征在于，所述層間隔離層為氧化硅層、氮化硅層、氧化鋁層、氧化鉿層組成的組中任意一種的單層絕緣層或者多層組合形成的復合絕緣層。