[發明專利]半導體裝置

有效

• 申請號: 201410201476.1
• 申請日: 2014-05-14
• 公開（公告）號: CN104851877B
• 公開（公告）日: 2017-09-15
• 發明（設計）人: 王世鈺
• 申請（專利權）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: H01L23/60
• 分類號: H01L23/60
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司11021
• 代理人: 任巖

1.一種半導體裝置，包括：

一整流器，耦接于一電路接地點與一端點之間，該端點用以耦接至一外部電路；

一晶體管增強型電流路徑(transistor-enhanced current path)，耦接至該整流器；以及

一開關電路，耦接至該晶體管增強型電流路徑，并耦接于該端點以及該電路接地點之間，該開關電路用以：

在正常操作期間關閉該晶體管增強型電流路徑；以及

當一靜電放電(electrostatic discharge)發生于該端點時，開啟該晶體管增強型電流路徑。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中該整流器包括：

一本征PNP雙極結晶體管(bipolar-junction transistor,BJT)，該本征PNP雙極結晶體管的一射極電性耦接至該端點；以及

一本征NPN雙極結晶體管，該本征NPN雙極結晶體管的一集極電性耦接至該本征PNP雙極結晶體管的一基極以及該端點至少其中之一，該本征NPN雙極結晶體管的一基極電性耦接至該本征PNP雙極結晶體管的一集極，且該本征NPN雙極結晶體管的一射極電性耦接至該電路接地點；

其中該開關電路包括：

一N通道場效晶體管(field-effect transistor,FET)；

一開關電路電阻，該N通道場效晶體管的一柵極透過該開關電路電阻耦接至該電路接地點；以及

一開關電路電容，該N通道場效晶體管的該柵極透過該開關電路電容耦接至該端點。

3.根據權利要求2所述的半導體裝置，其中：

該晶體管增強型電流路徑包括一旁通PNP雙極結晶體管；

該旁通PNP雙極結晶體管的一射極電性耦接至該本征NPN雙極結晶體管的該集極；

該旁通PNP雙極結晶體管的一基極電性耦接至該N通道場效晶體管的一漏極；以及

該旁通PNP雙極結晶體管的一集極電性耦接至該N通道場效晶體管的一源極；該旁通PNP雙極結晶體管的該集極更電性耦接至該電路接地點或該本征NPN雙極結晶體管的該基極。

4.根據權利要求3所述的半導體裝置，更包括：

一漏電流控制部，包括一漏電流控制電阻，該漏電流控制電阻電性耦接于該端點以及該旁通PNP雙極結晶體管的該基極之間。

5.根據權利要求4所述的半導體裝置，其中:

該漏電流控制部更包括一P通道場效晶體管；

該P通道場效晶體管的一源極電性耦接至該端點；

該P通道場效晶體管的一漏極電性耦接至該本征NPN雙極結晶體管的該集極；以及

該P通道場效晶體管的一柵極電性耦接至該N通道場效晶體管的該柵極。

6.根據權利要求2所述的半導體裝置，其中：

該晶體管增強型電流路徑包括一達林頓結構(Darlington structure)，該達林頓結構包括多級，各該級包括一旁通PNP雙極結晶體管；

該達林頓結構的一第一級中的該旁通PNP雙極結晶體管的一射極電性耦接至該本征NPN雙極結晶體管的該集極；

該達林頓結構的一最后一級中的該旁通PNP雙極結晶體管的一基極電性耦接至該N通道場效晶體管的一漏極；以及

該達林頓結構的該最后一級中的該旁通PNP雙極結晶體管的一集極電性耦接至該N通道場效晶體管的一源極；

其中，該些旁通PNP雙極結晶體管的集極更電性耦接至該電路接地點或該本征NPN雙極結晶體管的該基極。

7.根據權利要求6所述的半導體裝置，更包括：

一漏電流控制部，包括多個漏電流控制電阻，各該漏電流控制電阻電性耦接于該端點與該些旁通PNP雙極結晶體管之一的一基極之間。