[發(fā)明專利]一種附加二極管的模塊化限流斷路器功率模塊有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410201467.2 | 申請日: | 2014-05-14 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103986122B | 公開(公告)日: | 2017-05-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 戴朝波 | 申請(專利權(quán))人: | 國家電網(wǎng)公司;國網(wǎng)智能電網(wǎng)研究院 |
| 主分類號(hào): | H02H7/10 | 分類號(hào): | H02H7/10 |
| 代理公司: | 北京安博達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11271 | 代理人: | 徐國文 |
| 地址: | 100031 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 附加 二極管 模塊化 限流 斷路器 功率 模塊 | ||
1.一種附加二極管的模塊化限流斷路器功率模塊,其特征在于:
所述功率模塊包括功率模塊I,所述功率模塊I包括電抗器或功率電阻以及與所述電抗器或功率電阻并聯(lián)的功率子模塊;所述功率子模塊包括反并聯(lián)電路1、反并聯(lián)電路2、阻尼電路和避雷器;所述反并聯(lián)電路1和所述反并聯(lián)電路2串聯(lián)后與并聯(lián)的阻尼電路和避雷器并聯(lián);
所述反并聯(lián)電路1和所述反并聯(lián)電路2包括帶反并聯(lián)二極管的可關(guān)斷器件和與所述帶反并聯(lián)二極管的可關(guān)斷器件反并聯(lián)的附加二極管,所述反并聯(lián)電路1的附加二極管陰極與所述反并聯(lián)電路2的附加二極管陰極連接;
所述附加二極管為從標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù)二極管或碳化硅二極管中選出的任意一種附加二極管。
2.如權(quán)利要求1所述的一種附加二極管的模塊化限流斷路器功率模塊,其特征在于:
所述可關(guān)斷器件為從集成門極換流晶閘管IGCT、門極可關(guān)斷晶閘管GTO、超級(jí)門極可關(guān)斷晶閘管SGTO、注入增強(qiáng)柵晶體管IEGT或絕緣柵雙極型晶體管IGBT中選出的任意一種可關(guān)斷器件。
3.如權(quán)利要求2所述的一種附加二極管的模塊化限流斷路器功率模塊,其特征在于:
避雷器為從金屬氧化物避雷器、金屬氧化物限壓器、碳化硅避雷器或管式避雷器中選出的任意一種避雷器。
4.如權(quán)利要求3所述的一種附加二極管的模塊化限流斷路器功率模塊,其特征在于:
阻尼電路為從RC阻尼電路、RCD阻尼電路、LRCD阻尼電路或有源阻尼電路中選出的任意一種阻尼電路。
5.如權(quán)利要求1所述的一種附加二極管的模塊化限流斷路器功率模塊,其特征在于:
所述反并聯(lián)電路1包括一個(gè)或一個(gè)以上帶反并聯(lián)二極管的可關(guān)斷器件并聯(lián)后與一個(gè)或一個(gè)以上附加二極管并聯(lián)。
6.如權(quán)利要求5所述的一種附加二極管的模塊化限流斷路器功率模塊,其特征在于:
反并聯(lián)電路2包括一個(gè)或一個(gè)以上帶反并聯(lián)二極管的可關(guān)斷器件并聯(lián)后與一個(gè)或一個(gè)以上附加二極管并聯(lián)。
7.如權(quán)利要求1或5或6所述的一種附加二極管的模塊化限流斷路器功率模塊,其特征在于:
所述功率模塊還包括功率模塊II,所述功率模塊II由兩個(gè)或兩個(gè)以上功率子模塊串聯(lián)后與電抗器或功率電阻并聯(lián)形成。
8.如權(quán)利要求1所述的一種附加二極管的模塊化限流斷路器功率模塊,其特征在于:
兩個(gè)或兩個(gè)以上所述功率模塊I依次級(jí)聯(lián)形成限流斷路器、固態(tài)斷路器或故障電流限制器。
9.如權(quán)利要求7所述的一種附加二極管的模塊化限流斷路器功率模塊,其特征在于:
兩個(gè)或兩個(gè)以上所述功率模塊II依次級(jí)聯(lián)形成限流斷路器、固態(tài)斷路器或故障電流限制器。
10.如權(quán)利要求7所述的一種附加二極管的模塊化限流斷路器功率模塊,其特征在于:
一個(gè)或一個(gè)以上功率模塊I和一個(gè)或一個(gè)以上功率模塊II任意組合依次級(jí)聯(lián)形成限流斷路器、固態(tài)斷路器或故障電流限制器。
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