[發(fā)明專利]一種判斷體鐵測試值可信度的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410200552.7 | 申請日： | 2014-05-13 |
| 公開（公告）號： | CN103983540A | 公開（公告）日： | 2014-08-13 |
| 發(fā)明（設計）人： | 劉耀琴;王艾;周文飛;王建勛 | 申請（專利權(quán)）人： | 北京七星華創(chuàng)電子股份有限公司 |
| 主分類號： | G01N13/00 | 分類號： | G01N13/00;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海天辰知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吳世華;林彥之 |
| 地址： | 100016 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 判斷 測試 可信度 方法 | ||
1.一種判斷體鐵測試值可信度的方法，其特征在于，包括以下步驟：?
S1、選取一組可信硅片，采用SPV法分別測量該組硅片光照前少子的擴散長度Lbefore1、Lbefore2…Lbeforen、光照后少子的擴散長度Lafter1、Lafter2…Laftern后，計算出可信硅片的體鐵值NFe1、NFe2…NFen；?
S2、計算S1可信硅片組的體鐵值與光照前擴散長度的相關(guān)系數(shù)Rb及體鐵值與光照后擴散長度的相關(guān)系數(shù)Ra；?
S3、提供待測單枚硅片，采用SPV法測量待測硅片光照前少子的擴散長度Lbefore(n+1)和光照后少子的擴散長度Lafter(n+1)，如待測硅片光照前少子的擴散長度小于光照后少子的擴散長度，則判斷體鐵值不可信，如待測硅片光照前少子的擴散長度大于光照后少子的擴散長度，則判斷體鐵值可信并進一步計算出待測硅片的體鐵值NFe(n+1)；?
S4、將S3中待測單枚硅片放入S1可信硅片組中，計算該組硅片的體鐵值與光照前擴散長度的相關(guān)系數(shù)R′b及該組硅片的體鐵值與光照后擴散長度的相關(guān)系數(shù)R′a；?
S5、比對S2中Rb和S4中R′b的數(shù)值及比對S2中Ra和S4中R′a的數(shù)值，如Rb和R′b之間的數(shù)值越接近且Ra和R′a的數(shù)值越接近則判斷該待測硅片的體鐵值可信度越高，反之，則判斷該待測硅片的體鐵值可信度越低。?
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的判斷體鐵測試值可信度的方法，其特征在于，所述步驟S2中Rb的計算公式為：?
其中，Rb為可信硅片組的體鐵值與光照前擴散長度的相關(guān)系數(shù)，NFei(i＝1、2…n)為可信硅片組的體鐵值，為可信硅片組的體鐵值的均值，Lbeforei(i＝1、2…n)為可信硅片組的光照前少子的擴散長度,為可信硅?片組的光照前少子的擴散長度的均值；?
所述步驟S2中Ra的計算公式為：?
其中，Ra為可信硅片組的體鐵值與光照后擴散長度的相關(guān)系數(shù)，NFei(i＝1、2…n)為可信硅片組的體鐵值，為可信硅片組的體鐵值的均值，Lafteri(i＝1、2…n)為可信硅片組的光照后少子的擴散長度,為可信硅片組的光照后少子的擴散長度的均值。?
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的判斷體鐵測試值可信度的方法，其特征在于，所述可信硅片組的的計算公式為：?
所述可信硅片組的的計算公式為：?
所述可信硅片組的的計算公式為：?
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