[發(fā)明專利]一種判斷體鐵測試值可信度的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410200552.7 | 申請日: | 2014-05-13 |
| 公開(公告)號: | CN103983540A | 公開(公告)日: | 2014-08-13 |
| 發(fā)明(設計)人: | 劉耀琴;王艾;周文飛;王建勛 | 申請(專利權(quán))人: | 北京七星華創(chuàng)電子股份有限公司 |
| 主分類號: | G01N13/00 | 分類號: | G01N13/00;H01L21/66 |
| 代理公司: | 上海天辰知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 吳世華;林彥之 |
| 地址: | 100016 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 判斷 測試 可信度 方法 | ||
1.一種判斷體鐵測試值可信度的方法,其特征在于,包括以下步驟:?
S1、選取一組可信硅片,采用SPV法分別測量該組硅片光照前少子的擴散長度Lbefore1、Lbefore2…Lbeforen、光照后少子的擴散長度Lafter1、Lafter2…Laftern后,計算出可信硅片的體鐵值NFe1、NFe2…NFen;?
S2、計算S1可信硅片組的體鐵值與光照前擴散長度的相關(guān)系數(shù)Rb及體鐵值與光照后擴散長度的相關(guān)系數(shù)Ra;?
S3、提供待測單枚硅片,采用SPV法測量待測硅片光照前少子的擴散長度Lbefore(n+1)和光照后少子的擴散長度Lafter(n+1),如待測硅片光照前少子的擴散長度小于光照后少子的擴散長度,則判斷體鐵值不可信,如待測硅片光照前少子的擴散長度大于光照后少子的擴散長度,則判斷體鐵值可信并進一步計算出待測硅片的體鐵值NFe(n+1);?
S4、將S3中待測單枚硅片放入S1可信硅片組中,計算該組硅片的體鐵值與光照前擴散長度的相關(guān)系數(shù)R′b及該組硅片的體鐵值與光照后擴散長度的相關(guān)系數(shù)R′a;?
S5、比對S2中Rb和S4中R′b的數(shù)值及比對S2中Ra和S4中R′a的數(shù)值,如Rb和R′b之間的數(shù)值越接近且Ra和R′a的數(shù)值越接近則判斷該待測硅片的體鐵值可信度越高,反之,則判斷該待測硅片的體鐵值可信度越低。?
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的判斷體鐵測試值可信度的方法,其特征在于,所述步驟S2中Rb的計算公式為:?
其中,Rb為可信硅片組的體鐵值與光照前擴散長度的相關(guān)系數(shù),NFei(i=1、2…n)為可信硅片組的體鐵值,為可信硅片組的體鐵值的均值,Lbeforei(i=1、2…n)為可信硅片組的光照前少子的擴散長度,為可信硅?片組的光照前少子的擴散長度的均值;?
所述步驟S2中Ra的計算公式為:?
其中,Ra為可信硅片組的體鐵值與光照后擴散長度的相關(guān)系數(shù),NFei(i=1、2…n)為可信硅片組的體鐵值,為可信硅片組的體鐵值的均值,Lafteri(i=1、2…n)為可信硅片組的光照后少子的擴散長度,為可信硅片組的光照后少子的擴散長度的均值。?
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的判斷體鐵測試值可信度的方法,其特征在于,所述可信硅片組的的計算公式為:?
所述可信硅片組的的計算公式為:?
所述可信硅片組的的計算公式為:?
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