[發(fā)明專利]一種超寬帶CMOS低噪聲放大器自動(dòng)化設(shè)計(jì)方法及CMOSLNA設(shè)備有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410200526.4 | 申請(qǐng)日: | 2014-05-13 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103956978B | 公開(公告)日: | 2017-01-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王巍;鐘武;徐巍;梁耀;趙辰;馮世娟;袁軍 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 重慶郵電大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H03F1/26 | 分類號(hào): | H03F1/26;H03F3/45 |
| 代理公司: | 重慶華科專利事務(wù)所50123 | 代理人: | 康海燕 |
| 地址: | 400065 *** | 國(guó)省代碼: | 重慶;85 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 寬帶 cmos 低噪聲放大器 自動(dòng)化 設(shè)計(jì) 方法 cmoslna 設(shè)備 | ||
1.一種超寬帶CMOS低噪聲放大器自動(dòng)設(shè)計(jì)方法,其特征在于,輸入CMOS?LNA設(shè)計(jì)指標(biāo),獲取工藝參數(shù);建立短溝道MOSFETs的一階靜態(tài)器件方程庫(kù),對(duì)CMOS?LNA的電路性能進(jìn)行估算,完成晶體管參數(shù)的大信號(hào)和小信號(hào)分析,計(jì)算相關(guān)信息;建立通用電感源級(jí)負(fù)反饋的雙增益超寬帶CMOS?LNA電路結(jié)構(gòu),調(diào)用基于噪聲和線性功率最佳的矢量空間算法,獲得CMOS?LNA電路的關(guān)鍵參數(shù);將通用電感源級(jí)負(fù)反饋的雙增益超寬帶CMOS?LNA電路結(jié)構(gòu)和得到的關(guān)鍵參數(shù)導(dǎo)入Cadence模塊,完成電路的仿真設(shè)計(jì)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述設(shè)計(jì)指標(biāo)包括:工作頻率、增益、噪聲系數(shù)和輸入三階交調(diào)截點(diǎn);所述工藝參數(shù)包括:柵氧化層的厚度、單位面積的柵氧化層電容、載流子遷移率、閾值電壓和飽和電壓;所述相關(guān)信息包括:漏電流、晶體管跨導(dǎo)及二階和三階晶體管非線性。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述通用電感源級(jí)負(fù)反饋雙增益超寬帶CMOS?LNA結(jié)構(gòu)的單端LNA結(jié)構(gòu)包括:輸入級(jí)寬帶匹配網(wǎng)絡(luò)、放大結(jié)構(gòu)和輸出級(jí),輸入級(jí)寬帶匹配網(wǎng)絡(luò)采用并聯(lián)電容Cp、串聯(lián)電感Lg和由NMOS管M1、柵源等效電容Cgs共同構(gòu)成的輸入寬帶π型匹配網(wǎng)絡(luò),放大結(jié)構(gòu)由NMOS管M1、NMOS管M3構(gòu)成共源共柵結(jié)構(gòu),共源共柵結(jié)構(gòu)輸出端采用電阻Rd和電感Ld并聯(lián)的電感峰化技術(shù),提高并平坦帶寬內(nèi)的增益,共源共柵結(jié)構(gòu)輸入端連接輸入級(jí)寬帶匹配網(wǎng)絡(luò),源級(jí)采用電感Ls形成負(fù)反饋,差分結(jié)構(gòu)的增益由輸出級(jí)的PMOS管M5的開關(guān)電壓Vswitch控制,通過開關(guān)電壓Vswitch的改變控制輸出阻抗的變化,從而控制電路增益。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述調(diào)用基于噪聲和線性功率最佳的矢量空間算法,獲得CMOS?LNA電路的關(guān)鍵參數(shù)包括計(jì)算輸入品質(zhì)因素Qs和驅(qū)動(dòng)電壓Vod,具體包括:將電路的噪聲系數(shù)NF與Qs和Vod的相關(guān)性,及線性度IIP3與Qs和Vod的相關(guān)性分別表示為兩個(gè)矢量空間:ξ1{NF,Vod,Qs}、ξ2{IIP3,Vod,Qs};定義CMOS?LNA電路電流消耗Id與Qs和Vod的關(guān)系矢量空間為:ξ3{Id,Vod,Qs};獲得ξ1、ξ2子空間分別為:ξS1{NF<NFs,Vod,Qs},ξS2{IIP3>IIP3s,Vod,Qs};將空間ξ1與空間ξS2取交集得到子空間ξS3{NF,QsIIP3,VodIIP3},將子空間ξS1與子空間ξS3相交得到滿足最佳噪聲系數(shù)和線性度的Qs和Vod子空間為ξTS=ξS1∩ξS3;將ξTS子空間與ξ3空間相交,得到最佳噪聲系數(shù)子空間ξopt=ξ3∩ξTS,在ξopt空間中選擇電流最小的點(diǎn),得到最佳Qs和Vod值,其中NFs、IIP3s分別為目標(biāo)噪聲系數(shù)和三階交調(diào)截點(diǎn)參數(shù)。
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