[發(fā)明專利]一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201410200272.6
• 申請日: 2014-05-13
• 公開（公告）號: CN103984144A
• 公開（公告）日: 2014-08-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張鋒;曹占鋒;姚琪;齊永蓮
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1333
• 分類號: G02F1/1333
• 代理公司: 北京中博世達(dá)專利商標(biāo)代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置。

背景技術(shù)

隨著薄膜晶體管液晶顯示(TFT-LCD?Display)技術(shù)的發(fā)展和進(jìn)步，液晶顯示器裝置已經(jīng)取代了陰極射線管顯示裝置成為了日常顯示領(lǐng)域的主流顯示裝置。

目前，為了不斷提高液晶顯示裝置顯示圖像的質(zhì)量，其分辨率在不斷地提高，力求為消費(fèi)者提供更為清晰逼真的顯示畫面。分辨率定義為液晶顯示裝置中每英寸面積內(nèi)的像素的數(shù)量，這樣一來，分辨率越高則液晶顯示裝置中像素區(qū)域的尺寸就越小，相應(yīng)地，如圖1所示，相鄰的兩個像素單元區(qū)域中的像素電極4之間的間距也越來越小，當(dāng)給像素電極4通入一定的工作電壓時，將導(dǎo)致相鄰的兩個像素電極4之間的電場發(fā)生干擾(如圖中箭頭所示)，從而影響顯示畫面的質(zhì)量。

例如，如圖2所示，當(dāng)僅要求某一像素單元區(qū)域(標(biāo)記為a)對應(yīng)的液晶分子12偏轉(zhuǎn)而與該像素單元區(qū)域相鄰的另一個像素單元區(qū)域(標(biāo)記為b)對應(yīng)液晶分子12不發(fā)生偏轉(zhuǎn)時，由于像素單元區(qū)域a與像素單元區(qū)域b之間的間隔很小，使得相鄰的兩個像素電極4之間的電場發(fā)生干擾，導(dǎo)致相鄰的像素單元區(qū)域a與像素單元區(qū)域b之間的液晶分子12、以及像素單元區(qū)域b靠近像素單元區(qū)域a的邊緣處對應(yīng)的液晶分子12發(fā)生偏轉(zhuǎn)，從而如圖3所示，使液晶顯示裝置中相鄰的像素單元區(qū)域產(chǎn)生混色、漏光等現(xiàn)象，影響了液晶顯示裝置的顯示的效果。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于提供一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置，當(dāng)該陣列基板應(yīng)用于顯示裝置時，可減少相鄰的兩個像素電極之間電場的干擾，降低相鄰的兩個像素單元區(qū)域之間的混色、漏光現(xiàn)象，提高顯示裝置的顯示效果。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案：

本發(fā)明的第一方面提供了一種陣列基板，包括：襯底基板、設(shè)置于所述襯底基板上的信號線，所述信號線兩側(cè)設(shè)置有像素電極，所述襯底基板形成有與全部或部分所述信號線位置對應(yīng)的突起。

所述突起與所有奇數(shù)行或所有偶數(shù)行的信號線位置對應(yīng)。

所述信號線包括數(shù)據(jù)線和/或柵線。

所述突起的高度為1～2微米，所述突起的寬度大于或等于所述信號線的寬度。

所述突起的寬度為3～6微米。

在本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案中，由于所述襯底基板形成有與全部或部分所述信號線位置對應(yīng)的突起，并且所述信號線兩側(cè)設(shè)置有像素電極，顯然，突起導(dǎo)致兩像素電極之間的高度較大，大于像素電極的高度，使得像素電極不易形成電場，該突起可以減少相鄰的兩個像素電極之間電場的干擾，降低相鄰的兩個像素單元區(qū)域之間的混色、漏光現(xiàn)象，提高顯示裝置的顯示效果。

本發(fā)明的第二方面提供了一種顯示裝置，包括上述的陣列基板，還包括與所述陣列基板配合的對盒基板。

本發(fā)明的第三方面提供了一種陣列基板的制造方法，包括：

對襯底基板進(jìn)行刻蝕，形成與全部或部分信號線位置對應(yīng)的突起；

在所述襯底基板上形成所述信號線和位于所述信號線兩側(cè)的像素電極。

所述突起與所有奇數(shù)行或所有偶數(shù)行的信號線位置對應(yīng)。

所述突起的高度為1～2微米，所述突起的寬度為3～6微米。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為現(xiàn)有技術(shù)中的陣列基板驅(qū)動液晶分子的偏轉(zhuǎn)示意圖；

圖3為現(xiàn)有技術(shù)中的陣列基板漏光性測試結(jié)果示意圖；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例中的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖一；

圖5為本發(fā)明實(shí)施例中的陣列基板驅(qū)動液晶分子的偏轉(zhuǎn)示意圖；

圖6為本發(fā)明實(shí)施例中的陣列基板漏光性測試結(jié)果示意圖；

圖7為本發(fā)明實(shí)施例中的陣列基板的平面示意圖一；

圖8為本發(fā)明實(shí)施例中的陣列基板的平面示意圖二；

圖9為本發(fā)明實(shí)施例中的陣列基板的平面示意圖三；

圖10為本發(fā)明實(shí)施例中的陣列基板的平面示意圖四；

圖11為本發(fā)明實(shí)施例中的陣列基板的平面示意圖五；

圖12為本發(fā)明實(shí)施例中的陣列基板的平面示意圖六；

圖13為本發(fā)明實(shí)施例中的陣列基板的平面示意圖七；

圖14為本發(fā)明實(shí)施例中的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖二；