[發明專利]一種二階SBC超導量子干涉梯度計及制作方法

有效

• 申請號: 201410199606.2
• 申請日: 2014-05-13
• 公開（公告）號: CN103954918B
• 公開（公告）日: 2017-06-27
• 發明（設計）人: 王會武;劉全勝;王鎮;謝曉明
• 申請（專利權）人: 中國科學院上海微系統與信息技術研究所
• 主分類號: G01R33/035
• 分類號: G01R33/035
• 代理公司: 上海智信專利代理有限公司31002
• 代理人: 潘振甦

1.一種二階SBC超導量子干涉梯度計，將二階多環結構SQUID梯度芯片與電感線圈集成一起構成使用直讀電路的二階多環結構超導自舉SQUID梯度計，其特征在于：

①二階多環結構的超導環是由多個超導環并聯構成；并聯的多環結構使用電感較大的超導環和/或感應面積較大的超導環，超導薄膜是窄條形狀，超導環的寬度為10微米量級；

②二階多環結構是相鄰超導環的繞行方向設計為相反的方向。

2.按權利要求1所述的梯度計，其特征在于：二階梯度的SBC SQUID器件中設計為4個超導環并聯，其中左上角和右下角的超導環的繞行方向一致，左下角和右上角的超導環的繞行方向一致，而相鄰超導環之間的繞行方向相反。

3.按權利要求1或2所述的梯度計，其特征在于當均勻磁場通過4個超導環時，磁場在兩個不相鄰的超導環中產生的磁通數值與其余兩個不相鄰的超導環產生的磁通值相同，但方向相反。

4.按權利要求3所述的梯度計，其特征在于當梯度計中超導環數目是4的倍數時，構成二階梯度計。

5.按權利要求1所述的梯度計，其特征在于SBC SQUID梯度計的支路中的電感是由位于器件右上角超導環中多匝線圈構成，電極B2和B3是電感的兩端電極；電阻R由外加電阻構成，電阻數值在器件調試參數時確定；B1和B2兩電極是SBC SQUID的兩端電極。

6.按權利要求1所述的梯度計，其特征在于為使SQUID器件穩定工作的輔助部件調制和反饋線圈是由M+、M-兩端之間的線圈確定，將讀出電路的反饋通過這個線圈耦合到器件中以穩定器件的工作點、加熱電阻是由H+、H-兩端之間的金屬薄膜確定，它起到在低溫環境下對器件加熱以排除器件中的磁通的作用；也集成到SBC SQUID梯度計的設計之中。