[發明專利]高集成度的TR射頻模塊

無效

• 申請號: 201410198719.0
• 申請日: 2014-05-13
• 公開（公告）號: CN104052515A
• 公開（公告）日: 2014-09-17
• 發明（設計）人: 李燦;管玉靜;廖潔;孫宇;崔玉波
• 申請（專利權）人: 成都雷電微力科技有限公司
• 主分類號: H04B1/38
• 分類號: H04B1/38
• 代理公司: 四川力久律師事務所 51221
• 代理人: 王蕓;熊曉果

1.高集成度的TR射頻模塊，其特征在于：由兩塊1X8模塊對扣組合而成，每個1X8模塊主要包括盒體，所述盒體內安裝有LTCC集成電路、波控子板、波導-微帶轉換結構、射頻輸入接口及輸出接口，所述波控子板與LTCC集成電路通過金絲焊接連通；所述LTCC集成電路以LTCC基板為載體，在LTCC基板上集成有驅動芯片、功分器、8路TR通道及DAC控制芯片，所述射頻輸入接口依次經波導-微帶轉換結構、驅動芯片、功分器后再分別通過8路TR通道與射頻輸出接口連接。

2.根據權利要求1所述的高集成度的TR射頻模塊，其特征在于：所述8路TR通道中的每個通道由矢量調制器芯片、TR芯片及環行器依次級聯而成。

3.根據權利要求1所述的高集成度的TR射頻模塊，其特征在于：所述LTCC集成電路、波控子板以及波導-微帶轉換結構安裝在盒體的正面；波控子板安裝在盒體的背面；射頻輸入接口和輸出接口安裝在盒體的側面。

4.根據權利要求1所述的高集成度的TR射頻模塊，其特征在于：所述射頻輸入接口為矩形波導口；射頻輸出接口為SMP雙陽接頭。

5.根據權利要求1所述的高集成度的TR射頻模塊，其特征在于：所述波控子板上還設置有SPI總線接口。

6.根據權利要求1所述的高集成度的TR射頻模塊，其特征在于：所述波控子板上包括電源調制電路和邏輯控制電路，以及相應的電源控制接口和控制邏輯接口，TR射頻模塊所包含的兩塊波控子板通過軟帶纜進行互連。

7.根據權利要求1所述的高集成度的TR射頻模塊，其特征在于：所述1X8模塊還包括蓋板，所述蓋板安裝在盒體正面。