[發明專利]利用高速光學波長調諧源的設備和方法

在審

• 申請號: 201410198697.8
• 申請日: 2010-02-04
• 公開（公告）號: CN104134928A
• 公開（公告）日: 2014-11-05
• 發明（設計）人: 吳汪烈;本杰明·J·瓦科奇;吉列爾莫·J·蒂爾尼;布雷特·E·鮑馬
• 申請（專利權）人: 通用醫療公司
• 主分類號: H01S3/10
• 分類號: H01S3/10;H01S3/00
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 唐京橋;陳煒

1.一種設備，包括：

至少一種裝置，該裝置被配置為發射具有這樣的頻譜的電磁輻射，所述頻譜的平均頻率(i)以大于約每毫秒6000太拉赫茲的絕對速率變化，以及(ii)在大于約10太拉赫茲的范圍上變化。

2.根據權利要求1所述的設備，其中所述平均頻率以大于5千赫的重復速率反復變化。

3.根據權利要求2所述的設備，其中所述頻譜具有中心大致集中在1300nm的調諧范圍。

4.根據權利要求2所述的設備，其中所述頻譜具有小于100千兆赫的瞬時線寬。

5.根據權利要求2所述的設備，其中所述頻譜具有小于35千兆赫的瞬時線寬。

6.根據權利要求1所述的設備，進一步包括多邊形裝置，該多邊形裝置被配置為接收與發射的電磁輻射相關聯的至少一個信號，并且對所述至少一個信號執行反射或偏轉中的至少一個以達到另一位置。

7.根據權利要求1所述的設備，進一步包括激光器諧振系統，該激光器諧振系統形成光學電路并且被配置為控制發射的電磁輻射的空間模式。

8.根據權利要求7所述的設備，其中所述設備使發射的電磁輻射在所述激光器諧振系統的至少一部分內基本單向地傳播。

9.一種設備，包括：

一種裝置，該裝置被配置為發射電磁輻射，該電磁輻射具有(i)平均頻率以大于約每毫秒2000太拉赫茲的絕對速率變化的頻譜，以及(ii)小于約15千兆赫的瞬時線寬。

10.根據權利要求1所述的設備，進一步包括多邊形裝置，該多邊形裝置被配置為接收與發射的電磁輻射相關聯的至少一個信號，并且對所述至少一個信號執行反射或偏轉中的至少一個以達到另一位置。

11.根據權利要求9所述的設備，進一步包括激光器諧振系統，該激光器諧振系統形成光學電路并且被配置為控制發射的電磁輻射的空間模式。

12.根據權利要求11所述的設備，其中所述設備使發射的電磁輻射在所述激光器諧振系統的至少一部分內基本單向地傳播。

13.一種設備，包括：

至少一種裝置，該裝置被配置為基于至少一個第一電磁輻射的平均頻率而根據時間周期性地來選擇所述至少一個第一電磁輻射，其中周期性地選擇以第一特征周期執行，

其中所述平均頻率隨時間線性變化，

其中所述設備被配置為發射至少一個第二電磁輻射，該第二電磁輻射具有平均頻率以第二特征周期根據時間周期性地變化的頻譜，以及

其中所述第一特征周期大于所述第二特征周期。

14.根據權利要求13所述的設備，其中所述第一特征周期是所述第二特征周期的至少兩倍。

15.根據權利要求13所述的設備，其中所述至少一個第二電磁輻射具有平均頻率以大于約每毫秒2000太拉赫茲的絕對速率變化的頻譜。

16.根據權利要求15所述的設備，其中所述至少一個第二電磁輻射具有小于約15千兆赫的瞬時線寬。

17.一種設備，包括：

至少一種裝置，該裝置被配置為基于至少一個第一電磁輻射的平均頻率選擇所述至少一個第一電磁輻射，所述選擇由所述至少一種裝置在第一特征自由光譜范圍內執行，

其中所述設備發射至少一個第二電磁輻射，該第二電磁輻射具有平均頻率在第二特征自由光譜范圍內根據時間周期性地變化的頻譜，以及

其中所述第一特征自由光譜范圍大于所述第二特征自由光譜范圍。

18.根據權利要求17所述的設備，其中所述第一特征周期是所述第二特征周期的至少兩倍。

19.根據權利要求17所述的設備，其中所述至少一個第二電磁輻射具有平均頻率以大于約每毫秒2000太拉赫茲的絕對速率變化的頻譜。

20.根據權利要求19所述的設備，其中所述至少一個第二電磁輻射具有小于約15千兆赫的瞬時線寬。

21.根據權利要求17所述的設備，其中所述平均頻率隨時間線性變化。

22.一種設備，包括：

至少一種裝置，該裝置被配置為基于至少一個第一電磁輻射的平均頻率而根據時間周期性地來選擇所述至少一個第一電磁輻射，周期性地選擇以第一特征周期執行，

其中所述設備被配置為發射至少一個第二電磁輻射，該第二電磁輻射具有平均頻率以第二特征周期根據時間周期性地變化的頻譜，以及

其中所述第一特征周期大于所述第二特征周期的持續時間的兩倍。