[發明專利]存儲器及包括其的存儲系統

有效

• 申請號: 201410198265.7
• 申請日: 2014-05-12
• 公開（公告）號: CN104183264B
• 公開（公告）日: 2018-10-12
• 發明（設計）人: 宋清基
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: G11C11/4063
• 分類號: G11C11/4063
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙) 11363
• 代理人: 俞波;周曉雨

一種存儲器包括：多個字線，每個字線與一個或更多個存儲器單元連接；地址檢測單元，適用于檢測多個字線之中的目標字線的目標地址，其中，目標字線具有滿足預定條件的激活歷史；以及控制單元，適用于：每當施加有刷新命令時激活多個字線之中的一個或更多個字線，以及在目標地址的檢測之后響應于刷新命令而激活一個或更多個相鄰字線，其中，相鄰字線與目標字線相鄰且通過目標地址來識別。

相關申請的交叉引用

本申請要求2013年5月28日提交的第10-2013-0060476號韓國專利申請的優先權，其全部內容以引用方式并入本文中。

技術領域

本發明的示例性實施例涉及可防止由于存儲器單元中的字線干擾而導致儲存的數據劣化的存儲器及包括所述存儲器的存儲系統。

背景技術

隨著存儲器的集成度提高，存儲器中包括的多個字線之間的間隔減小。隨著字線之間的間隔減小，相鄰的字線之間的耦合效應增大。

每當數據輸入至存儲器單元以及從存儲器單元輸出數據時，字線在激活或活動狀態與去激活或不活動狀態之間觸發。如上文所述，隨著相鄰的字線之間的耦合效應增大，與頻繁激活的字線相鄰的字線相連接的存儲器單元的數據受損。這是已知的字線干擾。由于字線干擾，會出現存儲器單元的數據可在存儲器單元被刷新之前受損的問題。

圖1是說明存儲器中包括的單元陣列的一部分的圖。

在圖1中，“WLL”指示具有大量激活次數或高激活頻率的字線，“WLL-1”和“WLL+1”指示相鄰于字線“WLL”安置的字線。“CL”指示與字線“WLL”連接的存儲器單元，“CL-1”指示與字線“WLL-1”連接的存儲器單元，“CL+1”指示與字線“WLL+1”連接的存儲器單元。各個存儲器單元“CL”、“CL-1”和“CL+1”包括單元晶體管TL、TL-1和TL+1以及單元電容器CAPL、CAPL-1和CAPL+1。

在圖1中，當字線“WLL”被激活或去激活時，字線“WLL-1”和“WLL+1”的電壓由于字線“WLL”、“WLL-1”和“WLL+1”之中發生的耦合效應而增加或減小，并且對單元電容器CAPL-1和CAPL+1的電荷量產生影響。因此，字線“WLL”的頻繁激活導致字線“WLL”在激活狀態與去激活狀態之間觸發，并且引起儲存在存儲器單元“CL-1”和“CL+1”所包括的單元電容器CAPL-1和CAPL+1中的電荷量的增加改變，使得存儲器單元“CL-1”和“CL+1”的數據可能劣化。

此外，隨著字線在激活狀態與去激活狀態之間觸發時產生的電磁波將電子引入至與相鄰字線連接的存儲器單元的單元電容器中或將電子從所述單元電容器放電，可能損壞數據。

發明內容

各種實施例針對一種存儲器及包括所述存儲器的存儲系統，所述存儲器可將與具有大量激活次數或高激活頻率的字線相鄰的字線相連接的存儲器單元刷新，由此防止對存儲器單元的數據的字線干擾。

此外，各種實施例針對一種存儲器及包括所述存儲器的存儲系統，所述存儲器可在沒有命令或地址的情況下將與具有大量激活次數或高激活頻率的字線相鄰的字線相連接的存儲器單元刷新，由此減少用于防止對存儲器單元的數據的字線干擾所需的時間。

在一個實施例中，一種存儲器可包括：多個字線，每個字線與一個或更多個存儲器單元連接；地址檢測單元，適用于檢測多個字線之中的目標字線的目標地址，其中，目標字線具有滿足預定條件的激活歷史；以及控制單元，適用于：每當施加有刷新命令時激活多個字線之中的一個或更多個字線，以及在目標地址的檢測之后響應于刷新命令而激活一個或更多個相鄰字線，其中，相鄰字線與目標字線相鄰且通過目標地址來識別。